[發(fā)明專利]一種太陽能多晶黑硅片的清洗方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810813246.9
• 申請(qǐng)日: 2018-07-23
• 公開（公告）號(hào): CN109148262B
• 公開（公告）日: 2020-09-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙穎;厲文斌;鄭正明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 橫店集團(tuán)東磁股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L31/18
• 代理公司: 杭州杭誠(chéng)專利事務(wù)所有限公司 33109
• 代理人: 尉偉敏

本發(fā)明涉及太陽能多晶黑硅片領(lǐng)域，公開了一種太陽能多晶黑硅片的清洗方法。該清洗方法包括一次水洗、堿洗、一次漂洗、混合酸洗及二次漂洗，本發(fā)明適用于經(jīng)長(zhǎng)時(shí)間放置或運(yùn)輸后表面被氧化或污染的濕法制備的黑硅片的清洗。此清洗方法能夠保證清洗前后黑硅片反射率變化不超過2%，且能獲得較高的短路電流。清洗后的硅片表面潔凈度提高，有利于后續(xù)的擴(kuò)散、鍍膜等工藝的進(jìn)行。同時(shí)該清洗方法中的堿洗步驟，能對(duì)黑硅片的絨面進(jìn)行再修飾，從而獲得更高的開路電壓和填充因子，得到較高轉(zhuǎn)換效率的電池片。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及太陽能多晶黑硅片領(lǐng)域，尤其涉及一種太陽能多晶黑硅片的清洗方法。

背景技術(shù)

多晶黑硅片具有相對(duì)較低的反射率，是未來多晶電池片的主流，但昂貴的干法設(shè)備和具有環(huán)保壓力的濕法工藝，使得一些企業(yè)對(duì)黑硅的制備技術(shù)只能望而卻步。又因傳統(tǒng)添加劑金剛線效率偏低，所以，用制絨后的黑硅片代替原硅片是提高多晶電池片轉(zhuǎn)換效率的有效途徑。

目前，黑硅的制備方法主要有反應(yīng)離子刻蝕法和金屬輔助化學(xué)溶液刻蝕法，電池工廠無論購買那一種黑硅片，都會(huì)存在放置時(shí)間和運(yùn)輸時(shí)間的問題，在這個(gè)過程中黑硅片容易被氧化和污染。黑硅片在進(jìn)入擴(kuò)散前需要進(jìn)行一步清洗工藝，才能確保其轉(zhuǎn)換效率，同時(shí)最大程度的降低電池片的污染問題。

長(zhǎng)時(shí)間放置和運(yùn)輸后的黑硅片，表面容易被氧化和污染，所以在擴(kuò)散前需要進(jìn)行一步清洗工藝。目前黑硅片的清洗方法主要為采用混合酸液通過不同的清洗設(shè)備進(jìn)行清洗。這種清洗方法，雖然能夠去除黑硅片表面的金屬雜質(zhì)，但卻無法除去經(jīng)放置或運(yùn)輸后黑硅片的絨面的損傷，清洗后的黑硅片的轉(zhuǎn)換效率的提升不明顯。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種太陽能多晶黑硅片的清洗方法。該清洗方法是專門針對(duì)經(jīng)過長(zhǎng)時(shí)間放置或在運(yùn)輸過程中表面被污染或氧化的黑硅片設(shè)計(jì)的。本發(fā)明的清洗方法可提高黑硅片的表面潔凈度，降低黑硅片的污染比例，并對(duì)黑硅片的絨面進(jìn)行一定的修飾。通過該清洗方法能提高黑硅片的開路電壓和填充因子，提高太陽能多晶黑硅片的轉(zhuǎn)換效率。

本發(fā)明的具體技術(shù)方案為：一種太陽能多晶黑硅片的清洗方法，包括以下步驟：

(1)一次水洗：在常溫下，將黑硅片的表面用水清洗10-60s；

(2)堿洗：將經(jīng)步驟(1)處理后的黑硅片，用濃度為0.5-5wt％氫氧化鉀溶液處理10-100s，氫氧化鉀溶液的溫度為20-30℃，隨反應(yīng)的進(jìn)行補(bǔ)加氫氧化鉀溶液；

(3)一次漂洗：在常溫下，將經(jīng)步驟(2)處理后的黑硅片用水清洗10-60s；

(4)混合酸洗：將經(jīng)步驟(3)處理后的黑硅片用濃度為6-20wt％的鹽酸溶液、濃度為1-7wt％的氫氟酸溶液和水制成的混合酸溶液處理10-100s，混合酸溶液中鹽酸溶液、氫氟酸溶液和水的體積比為3-10:1-6:2-14，溫度為20-30℃，隨反應(yīng)的進(jìn)行補(bǔ)加混合酸溶液；

(5)二次漂洗：最后，在常溫下，將經(jīng)步驟(4)處理后的黑硅片用水清洗10-60s，在50-100℃的條件下烘干30-60s，然后再進(jìn)入后序工藝。