[發明專利]一種芳胺衍生物、其制備方法與應用在審
| 申請號: | 201810813111.2 | 申請日: | 2018-07-23 |
| 公開(公告)號: | CN109081783A | 公開(公告)日: | 2018-12-25 |
| 發明(設計)人: | 馬曉宇;汪康;孫毅;金成壽;張成成;李文軍;王輝 | 申請(專利權)人: | 吉林奧來德光電材料股份有限公司 |
| 主分類號: | C07C211/54 | 分類號: | C07C211/54;C07C211/56;C07D213/36;C07D213/38;C07D213/57;C07D215/12;C07D215/48;C07D219/02;C07D237/08;C07D239/26;C07D239/74;C07D241/12;C07 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 趙青朵 |
| 地址: | 130000 吉林省*** | 國省代碼: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機電致發光二極管 芳胺衍生物 高發光效率 空穴傳輸層 顯示器裝置 驅動電壓 熱穩定性 制備 應用 | ||
1.一種如式(Ⅰ)所示的芳胺衍生物:
其中,X1、X2獨立的選自N-Ar1、O、S或SO2;
R1~R8各自獨立的選自氫、氘、鹵素、氰基、羥基、硝基、取代或未取代的C1~C20的烷基、取代或未取代的C6~C30的芳基、取代或未取代的C2~C30的雜芳基、取代或未取代的C1~C20的烷氧基、取代或未取代的C6~C20的芳氧基、取代或未取代的C3~C40的甲硅烷氧基、取代或未取代的C1~C20的酰基、取代或未取代的C2~C20的烷氧基羰基、取代或未取代的C2~C20的酰氧基、取代或未取代的C2~C20的酰胺基、取代或未取代的C2~C20的烷氧基羰基氨基、取代或未取代的C7~C20的芳氧基羰基氨基、取代或未取代的C1~C20的氨磺酰氨基、取代或未取代的C1~C20的磺酰基、取代或未取代的C1~C20的烷硫基、取代或未取代的C6~C20的芳硫基、取代或未取代的C1~C20的雜環硫基、取代或未取代的C1~C20的酰脲基或取代或未取代的C3~C40的甲硅烷基;
Ar1和Ar2各自獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、羥基、硝基、取代或未取代的C1~C20的烷基、取代或未取代的C6~C30芳基、取代或未取代的C2~C30雜芳基或X1、X2與所在的苯環形成稠環;
Ar3、Ar4和Ar5各自獨立地選自取代或未取代的C1~C20的烷基、取代或未取代的C6~C30的芳基或取代或未取代的C2~C30的雜芳基;
n為0~5。
2.根據權利要求1所述的芳胺衍生物,其特征在于,所述R1~R8各自獨立的選自氫、氘、鹵素、氰基、羥基、硝基、取代或未取代的C1~C10的烷基、取代或未取代的C6~C18的芳基、取代或未取代的C2~C15的雜芳基、取代或未取代的C1~C10的烷氧基、取代或未取代的C6~C18的芳氧基、取代或未取代的C3~C20的甲硅烷氧基、取代或未取代的C1~C10的酰基、取代或未取代的C2~C10的烷氧基羰基、取代或未取代的C2~C10的酰氧基、取代或未取代的C2~C10的酰胺基、取代或未取代的C2~C10的烷氧基羰基氨基、取代或未取代的C7~C14的芳氧基羰基氨基、取代或未取代的C1~C10的氨磺酰氨基、取代或未取代的C1~C10的磺酰基、取代或未取代的C1~C10的烷硫基、取代或未取代的C6~C10的芳硫基、取代或未取代的C1~C10的雜環硫基、取代或未取代的C1~C10的酰脲基或取代或未取代的C3~C20的甲硅烷基;
Ar1和Ar2各自獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、羥基、硝基、取代或未取代的C1~C10的烷基、取代或未取代的C6~C18的芳基、取代或未取代的C2~C18的雜芳基或X1、X2與所在的苯環形成稠環;
Ar3、Ar4和Ar5各自獨立地選自取代或未取代的C1~C5的烷基、取代或未取代的C6~C12的芳基或取代或未取代的C2~C12的雜芳基;
n為0~3。
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