[發(fā)明專利]一種背向沉積型金屬負(fù)極和背向沉積型金屬負(fù)極電池有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810811529.X | 申請(qǐng)日: | 2018-07-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110752346B | 公開(公告)日: | 2021-02-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳永翀;劉丹丹;滕勇強(qiáng);何穎源;王馨;張彬 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京好風(fēng)光儲(chǔ)能技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01M4/13 | 分類號(hào): | H01M4/13;H01M10/058;H01M10/052 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100085 北京市海淀*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 背向 沉積 金屬 負(fù)極 電池 | ||
1.一種背向沉積型金屬負(fù)極,其特征在于,所述背向沉積型金屬負(fù)極包括無孔電子絕緣層和兩個(gè)金屬負(fù)極部,每個(gè)金屬負(fù)極部包括負(fù)極集流層以及復(fù)合于所述負(fù)極集流層一側(cè)的有孔電子絕緣層,兩個(gè)所述金屬負(fù)極部的負(fù)極集流層相對(duì)放置,所述無孔電子絕緣層設(shè)置于兩個(gè)金屬負(fù)極部之間用以阻止離子穿過并電子絕緣,在所述金屬負(fù)極部和無孔電子絕緣層之間形成沉積腔,其中,在所述有孔電子絕緣層和負(fù)極集流層上相對(duì)應(yīng)的位置處設(shè)有供離子穿過的離子穿透通孔,以使離子能夠穿過所述離子穿透通孔并在所述負(fù)極集流層與有孔電子絕緣層非接觸側(cè)的表面經(jīng)過電化學(xué)還原反應(yīng)沉積為金屬層,且有孔電子絕緣層的離子穿透通孔的區(qū)域小于等于負(fù)極集流層的離子穿透通孔的區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背向沉積型金屬負(fù)極,其中,所述沉積腔為可容納金屬負(fù)極沉積的沉積空間,厚度為0.1mm~2mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的背向沉積型金屬負(fù)極,其中,所述沉積腔的厚度為0.5mm~1.5mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的背向沉積型金屬負(fù)極,其中,在所述沉積腔中設(shè)有絕緣支撐部件,用以保持所述金屬負(fù)極部與所述無孔電子絕緣層之間的沉積空間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的背向沉積型金屬負(fù)極,其中,所述絕緣支撐部件包括墊圈、墊片、條狀波浪形構(gòu)件、多孔絕緣材料層和表面設(shè)有凸出部的多孔片中的一種或幾種。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的背向沉積型金屬負(fù)極,其中,所述多孔絕緣材料層的材料包括多孔絕緣聚合物材料、多孔絕緣無機(jī)非金屬材料、絕緣無機(jī)非金屬材料與有機(jī)聚合物材料復(fù)合的多孔絕緣復(fù)合材料,上述任意一種多孔材料的孔隙率為30%~90%;其中,所述多孔絕緣聚合物材料為選自天然棉麻、滌綸、芳綸、尼龍、聚烯烴、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯中的一種或幾種,所述絕緣無機(jī)非金屬材料為選自玻璃纖維布、陶瓷纖維紙類多孔絕緣無機(jī)非金屬材料中的一種或幾種或選自氧化硅、氮化硅、氧化鋁、氮化鋁中的一種或幾種,所述多孔絕緣復(fù)合材料中的有機(jī)聚合物材料為選自滌綸、芳綸、尼龍、聚烯烴、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯中的一種或幾種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背向沉積型金屬負(fù)極,其中,所述金屬負(fù)極部的負(fù)極集流層的離子穿透通孔的等效孔徑為0.2mm~5mm;孔中心距為0.5mm~8mm;孔隙率為5%~70%。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的背向沉積型金屬負(fù)極,其中,所述金屬負(fù)極部的負(fù)極集流層的離子穿透通孔的等效孔徑為0.4mm~2.5mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的背向沉積型金屬負(fù)極,其中,所述金屬負(fù)極部的負(fù)極集流層的離子穿透通孔的等效孔徑為0.6mm~1.8mm。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的背向沉積型金屬負(fù)極,其中,所述孔隙率為30%~60%。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的背向沉積型金屬負(fù)極,其中,所述孔隙率為40%~50%。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背向沉積型金屬負(fù)極,其中,所述金屬負(fù)極部的有孔電子絕緣層的離子穿透通孔的等效孔徑為0.1mm~5mm;孔中心距為0.5mm~8mm;孔隙率為5%~70%。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的背向沉積型金屬負(fù)極,其中,所述金屬負(fù)極部的有孔電子絕緣層的離子穿透通孔的等效孔徑為0.2mm~2.5mm。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的背向沉積型金屬負(fù)極,其中,所述金屬負(fù)極部的有孔電子絕緣層的離子穿透通孔的等效孔徑為0.4mm~1.8mm。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的背向沉積型金屬負(fù)極,其中,所述孔隙率為30%~60%。
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