[發明專利]一種基于短溝道有機晶體管的多級光存儲器及其制備方法

有效

• 申請號: 201810806368.5
• 申請日: 2018-07-20
• 公開（公告）號: CN109036487B
• 公開（公告）日: 2021-03-02
• 發明（設計）人: 陳惠鵬;郭太良;胡道兵;巫曉敏
• 申請（專利權）人: 福州大學
• 主分類號: G11C13/04
• 分類號: G11C13/04;G11C7/00
• 代理公司: 福州元創專利商標代理有限公司 35100
• 代理人: 蔡學俊

1.一種基于短溝道有機晶體管的多級光存儲器，其特征在于，

1)大小為1.5 cm×1.5 cm的玻璃基板分別在丙酮和異丙醇中分別超聲清洗十分鐘后用氮氣吹干后作為襯底；

2)采用熱蒸發的方式利用專用掩膜板在干凈襯底上蒸鍍100 nm的鋁作為柵電極；

3) 采用原子層沉積的方式在柵極上沉積一層氧化鋁薄膜作為電荷阻擋層，沉積溫度為200℃，得到的氧化鋁薄膜厚度為100 nm；

4)將有機絕緣聚合物PVP以15 mg/ml的配比溶解于丙二醇甲醚醋酸酯溶劑中，并在常溫下攪拌48小時使其完全溶解，將CdSe/ZnS量子點以3 mg/ml的配比溶解于三氯甲烷中，然后將溶解完全的PVP溶液和量子點溶液以5:2的體積比完全混合；以此溶液為浮柵層材料并用直徑為0.22 μm的過濾塞過濾后旋涂在步驟3）中所得的襯底上；旋涂速度為先低速600rpm/min，時間為5 s，再高速2000 rpm/min，時間為30 s；旋涂完后在手套箱內退火2 h，得到厚度為80 nm的浮柵層薄膜；

5)采用原子層沉積的方式在步驟4）中所得的浮柵層上沉積一層氧化鋁薄膜作為隧穿層，沉積溫度為200℃，得到的氧化鋁薄膜厚度為4 nm；

6) 將銀納米線以1 mg/ml的配比分散在異丙醇溶劑中，以此溶液為網狀源極材料采用旋涂方式制備在步驟5）中所得的隧穿層上；旋涂速度為2000 rpm/min，時間為60 s，然后在100℃下退火1 min；

7) 采用熱蒸發的方式利用專用掩膜板在步驟6)中所得的網狀源極上蒸鍍出寬為200μm，厚度為50 nm的金作為源極接觸電極；

8)將半導體聚合物材料PDVT-8以10 mg/ml的配比溶解于三氯甲烷溶劑中，以此溶液為有機半導體層材料采用旋涂方式制備在步驟6）中所得的網狀源極上；旋涂速度為1000rpm/min，時間為60 s，然后在150℃下退火10 min，得到厚度為120 nm的有機半導體層薄膜；

9) 將器件部分浸泡到三氯甲烷溶劑中使得源極接觸電極上的PDVT-8全部泡掉，源極接觸電極剛好露出來與PDVT-8獨立開；

10)采用濺射的方式利用專用掩膜板在步驟9)中所得的有機半導體層上濺射出寬為200 μm，厚度為50 nm的氧化銦錫ITO作為漏電極。