[發明專利]前體供應單元、基板處理系統和制造半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201810805363.0
• 申請日: 2018-07-20
• 公開（公告）號: CN109411386B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 李昭榮;李現宰;金益秀;李章熙
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;C23C16/455
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜

1.一種前體供應單元，所述前體供應單元包括：

外部容器；

內部容器，設置在所述外部容器中并且能夠儲存前體源；

具有注入口的氣體注入線路，用于將載氣提供到所述外部容器中；以及

具有排放口的氣體排放線路，用于排放所述外部容器中的所述載氣和從所述前體源產生的前體，

其中，所述內部容器包括支撐膜，所述支撐膜支撐所述前體源并且具有對于所述載氣和所述前體而言可滲透的孔，并且

其中，所述支撐膜提供由所述外部容器的內底部和所述支撐膜的底表面之間的第一內部空間限定的前體通道空間。

2.根據權利要求1所述的前體供應單元，其中，所述支撐膜包括多孔氧化鋁、多孔二氧化鈦或多孔氧化鋯。

3.根據權利要求1所述的前體供應單元，其中，所述注入口和所述排放口設置在所述支撐膜與所述外部容器的內底部之間。

4.根據權利要求3所述的前體供應單元，其中，所述注入口設置為與所述外部容器的所述內底部相鄰，并且

所述排放口相鄰于所述支撐膜設置。

5.根據權利要求1所述的前體供應單元，其中，所述支撐膜被設置成將限定在所述內部容器中且在所述前體源上的源消耗空間與所述前體通道空間分離。

6.根據權利要求5所述的前體供應單元，其中，所述內部容器包括在所述支撐膜上覆蓋所述前體源的上蓋，并且

所述源消耗空間是限定在所述前體源的頂表面和所述上蓋的內部頂表面之間的第二內部空間。

7.根據權利要求1所述的前體供應單元，所述前體供應單元還包括設置在所述外部容器外部的外部加熱器。

8.根據權利要求7所述的前體供應單元，所述前體供應單元還包括設置在所述外部容器中的內部加熱器。

9.根據權利要求8所述的前體供應單元，其中，所述內部加熱器包括設置在所述支撐膜的頂表面上的上加熱元件。

10.根據權利要求9所述的前體供應單元，其中，所述內部加熱器還包括設置在所述支撐膜的底表面上的下加熱元件。

11.一種基板處理系統，所述基板處理系統包括：

包括基座的腔室，被配置為接納基板；

前體供應單元，將前體供應到所述基板上；以及

載氣供應單元，將載氣供應到所述前體供應單元中，所述載氣用于運載所述腔室中的所述前體，

其中，所述前體供應單元包括：

外部容器；

內部容器，設置在所述外部容器中并且能夠儲存前體源；

具有注入口的氣體注入線路，用于將載氣提供到所述外部容器中；以及

具有排放口的氣體排放線路，用于排放所述外部容器中的所述載氣以及所述前體，

其中，所述內部容器包括支撐膜，所述支撐膜支撐所述前體源并且具有對于所述載氣和所述前體而言能滲透的孔，并且

其中，所述支撐膜提供由所述外部容器的內底部和所述支撐膜的底表面之間的第一內部空間限定的前體通道空間。

12.根據權利要求11所述的基板處理系統，所述基板處理系統還包括：

第一氣體線路，將所述前體供應單元連接到所述腔室；以及

第一閥，與所述第一氣體線路連接，以控制所述前體和所述載氣的流量，

其中，所述氣體排放線路連接到所述第一閥。

13.根據權利要求12所述的基板處理系統，其中，所述第一閥設置在所述外部容器的第一側處，并且

所述氣體排放線路設置在所述內部容器的第一側表面與所述外部容器的第一側表面之間，并且從所述第一閥延伸到所述支撐膜的底表面。