[發明專利]半導體器件及其形成方法

有效

• 申請號: 201810804923.0
• 申請日: 2018-07-20
• 公開（公告）號: CN110416094B
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發明（設計）人: 吳志偉;施應慶;盧思維;林俊成;李隆華
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/31;H01L23/488;H01L23/36
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種形成半導體器件的方法，所述方法包括：

將金屬箔附接至載體，在附接所述金屬箔之前預制所述金屬箔；

在所述金屬箔的遠離所述載體的第一側上形成導電柱；

將半導體管芯附接至所述金屬箔的所述第一側；

在附接所述半導體管芯之后，實施蝕刻工藝，其中，所述蝕刻工藝減小所述導電柱的寬度，其中，所述蝕刻工藝去除所述金屬箔的橫向設置在所述導電柱和所述半導體管芯之間的部分，并且其中，所述金屬箔的位于所述半導體管芯和所述載體之間的剩余部分的寬度小于所述半導體管芯的寬度；

在實施所述蝕刻工藝之后，在所述半導體管芯和所述導電柱周圍形成模制材料；以及

在所述模制材料上方形成再分布結構。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，在蝕刻工藝之后，所述金屬箔的側壁與所述半導體管芯的相應側壁未對準。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述蝕刻工藝是濕蝕刻工藝。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述蝕刻工藝將所述導電柱的寬度減小至20μm至60μm。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，附接所述金屬箔包括使用粘合層將所述金屬箔附接至所述載體，其中，所述方法還包括在形成所述再分布結構之后去除所述載體以暴露所述粘合層。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述方法還包括：

在去除所述載體后去除所述粘合層，其中，在去除所述粘合層之后，暴露所述導電柱的遠離所述再分布結構的上表面和所述模制材料的遠離所述再分布結構的上表面；以及

將半導體封裝件接合至所述導電柱的所述上表面。

7.根據權利要求5所述的方法，還包括：

在去除所述載體之后，在所述粘合層中形成開口，所述開口暴露所述導電柱的遠離所述再分布結構的上表面；以及

將半導體封裝件接合至所述導電柱。

8.根據權利要求1所述的方法，還包括在附接所述金屬箔之前在所述載體上方形成介電層，所述金屬箔附接至所述介電層。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，附接所述半導體管芯包括使用介電層將所述半導體管芯附接至所述金屬箔的所述第一側，其中，所述介電層具有在0.2瓦每米每開(W/(m·k))至10W/(m·k)之間的熱導率。