[發明專利]電平轉換電路有效
| 申請號: | 201810804302.2 | 申請日: | 2018-07-20 |
| 公開(公告)號: | CN110739958B | 公開(公告)日: | 2023-10-03 |
| 發明(設計)人: | 徐輝;陳春平 | 申請(專利權)人: | 珠海市杰理科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H03K19/0185 | 分類號: | H03K19/0185 |
| 代理公司: | 華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 余永文 |
| 地址: | 519000 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電平 轉換 電路 | ||
1.一種電平轉換電路,其特征在于,包括:電平轉換單元和半邊反饋單元;
所述電平轉換單元包括:輸入節點、用以輸出具有所需電平的輸出信號的輸出節點、反相輸入節點和用以輸出與所述輸出信號反相的反相輸出信號的反相輸出節點;
所述半邊反饋單元耦接在所述輸出節點和所述反相輸出節點之間。
2.根據權利要求1所述的電平轉換電路,其特征在于,還包括電平轉換加速單元,所述電平轉換加速單元耦接在所述電平轉換單元的輸入級和所述電平轉換單元的輸出級之間,且所述電平轉換加速單元用于加速所述電平轉換單元的電平轉換速度。
3.根據權利要求2所述的電平轉換電路,其特征在于,所述半邊反饋單元包括第一NMOS管,所述第一NMOS管耦接在所述輸出節點和所述反相輸出節點之間,且所述第一NMOS管的源極與接地點連接。
4.根據權利要求3所述的電平轉換電路,其特征在于,所述電平轉換單元包括:第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管;
所述第一PMOS管的源極用于接第一供電電源,所述第一PMOS管的漏極與所述第三PMOS管的源極連接,所述第一PMOS管的柵極與所述反相輸出節點連接;
所述第二PMOS管的源極用于接第一供電電源,所述第二PMOS管的漏極與所述第四PMOS管的源極連接,所述第二PMOS管的柵極與所述輸出節點連接;
所述第三PMOS管的柵極與所述輸入節點連接,所述第三PMOS管的漏極與所述輸出節點連接;
所述第四PMOS管的柵極與所述反相輸入節點連接,所述第三PMOS管的漏極與所述反相輸出節點連接;
所述第二NMOS管的柵極連接所述輸入節點,所述第二NMOS管的源極與接地點連接,所述第二NMOS管的漏極與輸出節點連接;
所述第三NMOS管的柵極與所述反相輸入節點連接,所述第三NMOS管的源極與接地點連接,所述第三NMOS管的漏極與所述反相輸出節點連接。
5.根據權利要求4所述的電平轉換電路,其特征在于,所述電平轉換加速單元包括第四NMOS管和第五NMOS管,所述第四NMOS管的漏極與所述輸出節點連接,所述第四NMOS管的源極與所述第二NMOS管的漏極連接,所述第四NMOS管的柵極與所述第五NMOS管的柵極均用于連接所述第一供電電源;所述第五NMOS管的漏極與所述反相輸出節點連接,所述第五NMOS管的源極與所述第三NMOS管的漏極連接。
6.根據權利要求5所述的電平轉換電路,其特征在于,所述第二NMOS管和所述第三NMOS管均為第一類型的NMOS管,所述第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管均為第一類型的PMOS管。
7.根據權利要求6所述的電平轉換電路,其特征在于,所述第一NMOS管、所述第四NMOS管和所述第五NMOS管為第二類型的NMOS管,所述第一類型的NMOS管的導通電壓小于所述第二類型的NMOS管的導通電壓。
8.根據權利要求1-7中任一項所述的電平轉換電路,其特征在于,還包括串接在所述輸入節點和所述反相輸入節點之間的第一反相器,所述第一反相器由第二供電電源供電。
9.根據權利要求8所述的電平轉換電路,其特征在于,還包括第二反相器,所述第二反相器的輸出端與所述輸入節點連接,所述第二反相器的輸入端用于接入輸入信號,且所述第二反相器由所述第二供電電源供電。
10.根據權利要求1-7中任一項所述的電平轉換電路,其特征在于,還包括緩沖器,緩沖器的輸入端用于接入輸入信號,所述緩沖器的輸出端與所述電平轉換單元連接。
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