[發(fā)明專利]一種銀納米棒/聚(3，4-乙撐二氧噻吩)核殼納米材料的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810801903.8 | 申請日： | 2018-07-19 |
| 公開（公告）號： | CN109232863B | 公開（公告）日： | 2021-04-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 蔣妮娜;梁麗麗;王士斌;馬麗娟;陳愛政 | 申請（專利權(quán)）人： | 華僑大學(xué) |
| 主分類號： | C08G61/12 | 分類號： | C08G61/12;C08K7/00;C08K3/08 |
| 代理公司： | 廈門市首創(chuàng)君合專利事務(wù)所有限公司 35204 | 代理人： | 張松亭;姜謐 |
| 地址： | 362000 福建省*** | 國省代碼： | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 納米 二氧 噻吩 材料 制備 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種銀納米棒/聚(3,4-乙撐二氧噻吩)核殼納米材料的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：
(1)將3,4乙撐二氧噻吩單體溶于酸溶液中，加入磺酸鹽類陰離子表面活性劑，獲得單體溶液；上述酸溶液中的酸為硝酸或氫氟酸，磺酸鹽類陰離子表面活性劑為烷基苯磺酸鹽和烷基硫酸鹽；
(2)將長度為50～200nm且直徑為15～60nm的銀納米棒加入上述單體溶液中，振蕩5～30min，接著加入氧化劑，于24～26℃保溫靜置20～25h，然后離心棄上清，即得所述銀納米棒/聚(3,4-乙撐二氧噻吩)核殼納米材料，其聚(3,4-乙撐二氧噻吩)殼層的厚度為3～10nm；上述氧化劑為過硫酸鉀；
氧化劑在單體溶液中的濃度為0.001-0.005mol/L；單體溶液中，3,4乙撐二氧噻吩單體和磺酸鹽類陰離子表面活性劑的摩爾濃度比為1:1～10，酸溶液中的酸和磺酸鹽類陰離子表面活性劑的摩爾濃度比為1～100:1，酸溶液的摩爾濃度為0.01-1mol/L。
2.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述離心的速度為2000～4000rpm，時間為10～20min。
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