[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及其控制方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810801386.4
• 申請(qǐng)日: 2018-07-20
• 公開（公告）號(hào): CN110310679B
• 公開（公告）日: 2023-08-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宮崎隆行
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C7/10
• 分類號(hào): G11C7/10;G11C5/14
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 楊林勳

1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，具備：

存儲(chǔ)單元，存儲(chǔ)第1值或第2值作為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)；以及

控制電路，從所述存儲(chǔ)單元讀取所述第1值或所述第2值作為所述存儲(chǔ)數(shù)據(jù)；

所述存儲(chǔ)單元具有：

第1動(dòng)作區(qū)域，伴隨著所述存儲(chǔ)單元間的電壓增加，在所述存儲(chǔ)單元間流通的單元電流增加；

第2動(dòng)作區(qū)域，所述單元電流比所述第1動(dòng)作區(qū)域大，在所述單元電流增加的期間，所述存儲(chǔ)單元間的電壓減少；以及

第3動(dòng)作區(qū)域，所述單元電流比所述第2動(dòng)作區(qū)域大，伴隨著所述存儲(chǔ)單元間的電壓增加，所述單元電流增加；

所述控制電路執(zhí)行：

第1讀取處理，以所述存儲(chǔ)數(shù)據(jù)為所述第1值時(shí)的所述單元電流與所述存儲(chǔ)數(shù)據(jù)為所述第2值時(shí)的所述單元電流取所述第1動(dòng)作區(qū)域的值的方式，從所述存儲(chǔ)單元讀取所述存儲(chǔ)數(shù)據(jù)；以及

第2讀取處理，以所述存儲(chǔ)數(shù)據(jù)為所述第1值時(shí)的所述單元電流與所述存儲(chǔ)數(shù)據(jù)為所述第2值時(shí)的所述單元電流中的至少一個(gè)取所述第2動(dòng)作區(qū)域或所述第3動(dòng)作區(qū)域的值的方式，從所述存儲(chǔ)單元讀取所述存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中

在所述第1動(dòng)作區(qū)域，所述存儲(chǔ)數(shù)據(jù)為所述第2值時(shí)的所述單元電流比所述存儲(chǔ)數(shù)據(jù)為所述第1值時(shí)的所述單元電流更急劇地增加，

在所述第2動(dòng)作區(qū)域，所述存儲(chǔ)數(shù)據(jù)為所述第2值時(shí)的所述單元電流比所述存儲(chǔ)數(shù)據(jù)為所述第1值時(shí)的所述單元電流更急劇地減少。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中所述第2讀取處理讀取所述存儲(chǔ)數(shù)據(jù)所需的時(shí)間與所述第1讀取處理讀取所述存儲(chǔ)數(shù)據(jù)所需的時(shí)間不同。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中所述控制電路是通過對(duì)所述存儲(chǔ)單元施加指定值的所述電壓或者對(duì)所述存儲(chǔ)單元流通指定值的所述單元電流，而讀取所述存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中所述控制電路具備對(duì)所述存儲(chǔ)單元施加所述指定值的所述電壓的電壓讀出放大器、及對(duì)所述存儲(chǔ)單元流通所述指定值的所述單元電流的電流讀出放大器。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中所述控制電路具備讀出放大器，所述讀出放大器在接收到指示施加所述指定值的所述電壓的信號(hào)的情況下，對(duì)所述存儲(chǔ)單元施加所述指定值的所述電壓，在接收到指示流通所述指定值的所述單元電流的信號(hào)的情況下，對(duì)所述存儲(chǔ)單元流通所述指定值的所述單元電流。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中所述控制電路通過所述第1讀取處理從所述存儲(chǔ)單元讀取固件數(shù)據(jù)或修整數(shù)據(jù)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中所述控制電路在從第1地址區(qū)域內(nèi)的所述存儲(chǔ)單元讀取所述存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的情況下執(zhí)行所述第1讀取處理，在從不同于所述第1地址區(qū)域的第2地址區(qū)域內(nèi)的所述存儲(chǔ)單元讀取所述存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的情況下執(zhí)行所述第2讀取處理。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中所述存儲(chǔ)單元包含存儲(chǔ)所述存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的第1元件以及與所述第1元件串聯(lián)連接的第2元件，所述第1、第2及第3動(dòng)作區(qū)域因所述第1及/或第2元件的特性而產(chǎn)生。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中所述第2元件為具有非線性的電流-電壓特性的非線性元件、二極管、具有包含回跳的電流-電壓特性的回跳元件或選擇所述第1元件的選擇元件。