[發(fā)明專利]一種聚苯二甲酸乙二酯襯底異質(zhì)結(jié)構(gòu)器件及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810801124.8
• 申請(qǐng)日: 2018-07-20
• 公開（公告）號(hào): CN108807511A
• 公開（公告）日: 2018-11-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李昱材;張東;趙琰;王健;宋世巍;王剛;丁艷波;王晗;劉莉瑩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 沈陽(yáng)工程學(xué)院
• 主分類號(hào): H01L29/24
• 分類號(hào): H01L29/24;H01L29/43;H01L21/02;H01L21/443
• 代理公司: 沈陽(yáng)銘揚(yáng)聯(lián)創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 21241
• 代理人: 呂敏

1.一種聚苯二甲酸乙二酯襯底異質(zhì)結(jié)構(gòu)器件，其特征在于：從下到上依次包括聚苯二甲酸乙二酯襯底層、第一導(dǎo)電層、SnO₂材料層、VO₂材料層、第二導(dǎo)電層、抗腐蝕保護(hù)層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述聚苯二甲酸乙二酯襯底異質(zhì)結(jié)構(gòu)器件，其特征在于：所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層均為AZO透明導(dǎo)電薄膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚苯二甲酸乙二酯襯底異質(zhì)結(jié)構(gòu)器件，其特征在于：所述抗腐蝕保護(hù)層為TiN抗腐蝕保護(hù)層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚苯二甲酸乙二酯襯底異質(zhì)結(jié)構(gòu)器件，其特征在于：所述聚苯二甲酸乙二酯襯底層的厚度為0.4～1.2mm。

5.一種如權(quán)利要求1所述聚苯二甲酸乙二酯襯底異質(zhì)結(jié)構(gòu)器件的制備方法，其特征在于：在聚苯二甲酸乙二酯襯底層上依次制備第一AZO透明導(dǎo)電薄膜、SnO₂材料層、VO₂材料層、第二AZO透明導(dǎo)電薄膜及抗腐蝕保護(hù)層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于：在所述苯二甲酸乙二酯襯底層上制備第一AZO透明導(dǎo)電層：將苯二甲酸乙二酯基片采用離子水超聲波清洗10分鐘后，吹干送入磁控濺射反應(yīng)室，在1.0×10-3Pa真空的條件下，在其苯二甲酸乙二酯基片上沉積制備AZO透明導(dǎo)電薄膜電極；其工藝參數(shù)條件是：氬氣和氧氣作為混合氣體反應(yīng)源，其氬氣和氧氣流量比8:1，反應(yīng)濺射氧化鋅摻雜鋁靶材的純度為99.9％，制備溫度為200℃～400℃，制備時(shí)間為60分鐘。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，采用磁控濺射沉積制備SnO₂材料層，在1.0×10-3Pa真空的條件下，其工藝參數(shù)條件是：氧氣作為氣體反應(yīng)源，其氧氣流量為80～120sccm，反應(yīng)濺射二氧化錫靶材的純度為99.9％，制備溫度為200℃～400℃，制備時(shí)間30分鐘至180分鐘。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，采用磁控濺射沉積制備VO₂材料層，在1.0×10-3Pa真空的條件下，制備VO₂薄膜材料，其工藝參數(shù)條件是：氬氣和氧氣作為混合氣體反應(yīng)源，其氬氣和氧氣流量比8:1，反應(yīng)濺射二氧化釩靶材的純度為99.9％，制備溫度為100℃～300℃，制備時(shí)間為180～220分鐘。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，采用磁控濺射制備第二AZO透明導(dǎo)電薄膜：將真空抽到1.0×10-3Pa真空的條件下，其工藝參數(shù)條件是：氬氣和氧氣作為混合氣體反應(yīng)源，其氬氣和氧氣流量比5:1，反應(yīng)濺射氧化鋅摻雜鋁靶材的純度為99.9％，制備溫度為100℃～300℃，制備時(shí)間為20～30分鐘。

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，采用磁控濺射制備抗腐蝕保護(hù)層，該抗腐蝕保護(hù)層為TiN抗腐蝕保護(hù)涂層，其工藝參數(shù)條件是：氮?dú)庾鳛闅怏w反應(yīng)源，其氮?dú)饬髁繛?0～80sccm，反應(yīng)濺射氮化鈦靶材的純度為99.99％，襯底溫度為100℃～400℃，制備時(shí)間為15-25分鐘。