[發(fā)明專利]氧化物半導(dǎo)體層的制備方法及裝置

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201810796404.4
• 申請日: 2018-07-19
• 公開（公告）號: CN108987258A
• 公開（公告）日: 2018-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蘇同上;王東方;劉軍;王慶賀;傅武霞;閆梁臣;袁廣才
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67;H01L29/786
• 代理公司: 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 楊廣宇

1.一種氧化物半導(dǎo)體層的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

在基板上形成氧化物半導(dǎo)體層；

當(dāng)所述氧化物半導(dǎo)體層包括厚度不同的多個區(qū)域時，向所述氧化物半導(dǎo)體層施加氧離子，以使所述氧化物半導(dǎo)體層的多個區(qū)域中的氧含量與所述氧化物半導(dǎo)體層的厚度正相關(guān)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在向所述氧化物半導(dǎo)體層施加氧離子時，對所述氧化物半導(dǎo)體層進行退火。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體層的制備方法，其特征在于，所述向所述氧化物半導(dǎo)體層施加氧離子，包括：

向所述氧化物半導(dǎo)體層的多個區(qū)域中的每個區(qū)域施加氧離子。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體層的制備方法，其特征在于，所述基板位于制備腔體內(nèi)，向所述氧化物半導(dǎo)體層的多個區(qū)域中的每個區(qū)域施加氧離子，包括：

向所述制備腔體內(nèi)通入氧氣；

向所述氧化物半導(dǎo)體層的多個區(qū)域中的每個區(qū)域照射紫外線，以使所述每個區(qū)域上的氧氣解離得到所述氧離子，以及所述氧離子進入所述氧化物半導(dǎo)體層；

其中，所述氧化物半導(dǎo)體層的多個區(qū)域中，照射至區(qū)域的紫外線的波長與區(qū)域的厚度負(fù)相關(guān)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體層的制備方法，其特征在于，所述在基板上形成氧化物半導(dǎo)體層，包括：

采用磁控濺射法在所述基板上形成所述氧化物半導(dǎo)體層。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體層的制備方法，其特征在于，所述氧化物半導(dǎo)體層的多個區(qū)域包括：厚度為1090埃的第一區(qū)域，以及厚度為1063埃的第二區(qū)域，照射至所述第一區(qū)域的紫外線的波長為30納米，照射至所述第二區(qū)域的紫外線的強度為100納米。

7.一種氧化物半導(dǎo)體層的制備裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體層的制備裝置包括：

鍍膜設(shè)備，用于在基板上形成氧化物半導(dǎo)體層；

氧含量調(diào)節(jié)設(shè)備，用于當(dāng)所述氧化物半導(dǎo)體層包括厚度不同的多個區(qū)域時，向所述氧化物半導(dǎo)體層施加氧離子，以使所述氧化物半導(dǎo)體的多個區(qū)域中的氧含量與所述氧化物半導(dǎo)體層的厚度正相關(guān)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備裝置，其特征在于，所述制備裝置還包括：

退火爐，用于在向所述氧化物半導(dǎo)體層施加氧離子時，對所述氧化物半導(dǎo)體層進行退火。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的制備裝置，其特征在于，所述基板位于制備腔體內(nèi)，所述氧含量調(diào)節(jié)設(shè)備包括：

通氧泵，用于向所述制備腔體內(nèi)通入氧氣；

紫外燈組件，用于向所述氧化物半導(dǎo)體層的多個區(qū)域中的每個區(qū)域照射紫外線，以使所述每個區(qū)域上的氧氣解離得到所述氧離子，以及所述氧離子進入所述氧化物半導(dǎo)體層；

其中，所述氧化物半導(dǎo)體層的多個區(qū)域中，照射至區(qū)域的紫外線的波長與區(qū)域的厚度負(fù)相關(guān)。

10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的制備裝置，其特征在于，所述鍍膜設(shè)備包括：

磁控濺射設(shè)備，用于采用磁控濺射法在所述基板上形成所述氧化物半導(dǎo)體層。