[發明專利]一種二硫化鉬靶材的制備方法

有效

• 申請號: 201810795425.4
• 申請日: 2018-07-19
• 公開（公告）號: CN108640685B
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 康明生;崔娜;朱輝;郄奕;張衛;李松敏
• 申請（專利權）人: 河北東同光電科技有限公司
• 主分類號: C04B35/547
• 分類號: C04B35/547
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種二硫化鉬靶材的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

A、二硫化鉬粉體的預處理：將二硫化鉬粉體與一定比例的經磁化的金屬材料放入球磨機進行球磨混合均勻，得混合物料；所述添加的經磁化的金屬材料為Ni粉和Co粉；其中，Ni粉的添加比例為wt％Ni＝2～5％，Co粉的添加比例為wt％Co＝0.5～3％；

B、將步驟A獲得的混合物料進行等靜壓成型，等靜壓壓力在100～125MPa，壓制成塊狀粗坯；

C、將步驟B所得塊狀粗坯放入氣氛燒結爐中進行煅燒，煅燒溫度為1350℃，保溫2小時，斷電降溫，100℃以下出爐；

D、將步驟C得到的制品送入球磨機進行球磨粉碎，球磨時間為5小時，得到粒徑在30μm以下的粗粉；

E、將步驟D得到的粗粉進行200目過篩，篩下的粉體為備用粉體；

F、將步驟E獲得的備用粉體用等靜壓設備根據模具尺寸進行初壓成型，粗坯厚度根據使用厚度進行壓制；

G、將步驟F得到的粗坯裝入石墨模具中，相鄰粗坯之間用10mm厚鉬片隔開；將裝有粗坯的模具裝入真空熱壓燒結爐內進行燒結，控制燒結溫度1000～1050℃，燒結速率在5℃/分，燒結壓力25～38MPa，并保溫保壓2～5h；

H、燒結完成后，降溫至500℃，泄壓至常壓，繼續降溫到150℃以下時出爐，得到粗靶；

I、精加工：將步驟H得到的粗靶經過切割、平面磨加工，得到二硫化鉬靶材。

2.根據權利要求1所述的一種二硫化鉬靶材的制備方法，其特征在于，步驟A中二硫化鉬粉體的純度≥99.95％，Ni粉的純度≥99.95％，Co粉的純度≥99.95％。

3.根據權利要求1所述的一種二硫化鉬靶材的制備方法，其特征在于，步驟D所述球磨機中所用球為氧化鋯球，球大小分為三種：Φ30mm球占球總數的三分之一，Φ10mm球占球總數的三分之一，Φ5mm球占球總數的三分之一。