[發明專利]半導體器件、半導體封裝及制造半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201810794961.2
• 申請日: 2018-07-19
• 公開（公告）號: CN109300871B
• 公開（公告）日: 2023-05-19
• 發明（設計）人: 崔朱逸;文光辰;徐柱斌;林東燦;藤崎純史;李鎬珍
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/48;H01L25/065
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 屈玉華

1.一種半導體器件，包括：

在基板上的導電部件；

鈍化層，在所述基板上并且在其中包括開口，其中所述開口暴露所述導電部件的至少一部分；以及

焊盤結構，在所述鈍化層上并且在所述開口中，所述焊盤結構電連接到所述導電部件，所述焊盤結構包括：

下導電層，在所述開口的內側壁上以及在圍繞所述開口的所述鈍化層的頂表面上共形地延伸，所述下導電層包括順序地堆疊的導電阻擋層、第一籽晶層、蝕刻停止層和第二籽晶層，

在所述下導電層上的第一焊盤層，所述第一焊盤層至少部分地填充所述開口，以及

在所述第一焊盤層上的第二焊盤層，所述第二焊盤層橫向地延伸超過所述第一焊盤層以接觸所述下導電層的位于所述鈍化層的所述頂表面上的外圍部分。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第二焊盤層直接在所述第一籽晶層的位于所述下導電層的所述外圍部分處的部分上，所述第一籽晶層的所述部分位于圍繞所述開口的所述鈍化層的所述頂表面上。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述第一焊盤層直接在所述第二籽晶層上并且至少部分地填充所述開口，并且其中所述第二焊盤層直接在所述第一焊盤層上。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一焊盤層與所述第一籽晶層通過所述第二籽晶層和所述蝕刻停止層的在它們之間的部分隔開，并且其中所述下導電層的所述外圍部分不具有所述第二籽晶層和所述蝕刻停止層。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述下導電層包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分圍繞所述第一焊盤層的側壁，所述第二部分與所述第二焊盤層接觸并且位于所述第二焊盤層下方，

其中所述下導電層的所述第一部分的第一厚度大于所述下導電層的所述第二部分的第二厚度。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其中所述下導電層還包括第三部分，所述第三部分在所述第一焊盤層下方并且在圍繞所述開口的所述鈍化層的所述頂表面上，以及

其中所述下導電層的所述第三部分的第三厚度大于所述下導電層的所述第二部分的所述第二厚度。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中所述下導電層的所述第二部分包括順序地堆疊在所述鈍化層的所述頂表面上的所述導電阻擋層和所述第一籽晶層，以及

所述下導電層的所述第三部分包括順序地堆疊在所述鈍化層的所述頂表面上的所述導電阻擋層、所述第一籽晶層、所述蝕刻停止層和所述第二籽晶層。

8.根據權利要求6所述的半導體器件，其中所述第一焊盤層包括突起，所述突起延伸到圍繞所述開口的所述鈍化層的所述頂表面上，并且所述下導電層的所述第三部分在所述突起與所述鈍化層之間。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一焊盤層的頂表面相對于所述基板在比所述鈍化層的所述頂表面更高的水平處，以及

所述第二焊盤層的第一部分的第一底表面相對于所述基板在比所述第二焊盤層的第二部分的第二底表面更高的水平處，其中所述第一底表面與所述第一焊盤層的所述頂表面接觸，并且所述第二底表面與所述第一籽晶層的頂表面接觸。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一焊盤層的頂表面相對所述基板在比所述鈍化層的所述頂表面更低的水平處，以及

所述第二焊盤層的第一部分的第一底表面相對于所述基板在比所述第二焊盤層的第二部分的第二底表面更低的水平處，其中所述第一底表面與所述第一焊盤層的所述頂表面接觸，并且所述第二底表面與所述第一籽晶層的頂表面接觸。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一焊盤層包括銅(Cu)，所述第二焊盤層包括鎳(Ni)。