[發(fā)明專利]具有增強層的OLED裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810794525.5
• 申請日: 2015-07-24
• 公開（公告）號: CN109037462B
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 尼古拉斯·J·湯普森;馬克·A·巴爾多;邁克爾·S·韋弗;維諾德·M·梅農(nóng)
• 申請（專利權(quán)）人: 環(huán)球展覽公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 李琳

1.一種改進OLED的操作的方法，其中所述OLED包含包括有機發(fā)射材料的有機發(fā)射層，所述方法包含：

通過提供增強層來最大化來自所述有機發(fā)射材料的激發(fā)態(tài)能量向所述增強層中的表面等離子極化激元的非輻射轉(zhuǎn)移，所述增強層包含展現(xiàn)表面等離子共振的、非輻射地耦合到所述有機發(fā)射材料的且與所述有機發(fā)射層相距不超過閾值距離的等離子材料，

其中所述有機發(fā)射材料歸因于所述增強層的存在而具有總非輻射衰減速率常數(shù)和總輻射衰減速率常數(shù)，并且所述閾值距離是所述總非輻射衰減速率常數(shù)等于所述總輻射衰減速率常數(shù)之處；和

通過將來自所述表面等離子極化激元的能量散射穿過出耦層從而從所述增強層發(fā)射光到自由空間中，所述出耦層被提供得以接近于所述增強層但與所述有機發(fā)射層相對。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述增強層是至少一組由周期性地、準周期性地或隨機地布置的波長尺寸的或亞波長尺寸的特征形成的光柵。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述增強層是至少一組由周期性地、準周期性地或隨機地布置的具有銳邊緣的波長尺寸的或亞波長尺寸的特征形成的光柵。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述等離子材料是選自由Ag、Au、Al、Pt和這些材料的任何組合的合金組成的群組。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述等離子材料是Ag。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述出耦層包含絕緣材料、半導(dǎo)體材料、金屬或其任何組合。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述出耦層是至少一組由周期性地、準周期性地或隨機地布置的波長尺寸的或亞波長尺寸的特征形成的光柵。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述波長尺寸的特征和所述亞波長尺寸的特征具有銳邊緣。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述出耦層在主體材料中包含多個粒子，其中所述多個粒子的實際尺寸小于發(fā)射到自由空間的所述光的波長。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述多個粒子是非球形納米粒子，所述非球形納米粒子具有三維形狀。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述三維形狀包含桿、立方體和銳邊緣。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述三維形狀包含多面體。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述出耦層包含圖案化金屬膜。