[發明專利]晶片的加工方法

有效

• 申請號: 201810794206.4
• 申請日: 2018-07-19
• 公開（公告）號: CN109290876B
• 公開（公告）日: 2022-03-11
• 發明（設計）人: 竹川真弘;森龍彥
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: B24B7/22
• 分類號: B24B7/22;B24B37/10;B24B27/00;B24B41/00;H01L21/02
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 龐東成;褚瑤楊

本發明提供一種晶片的加工方法，其實現了晶片研磨不良的降低。本發明的晶片的加工方法具備下述步驟：規定值設定步驟，將卡盤工作臺(9)的旋轉軸(92)相對于研磨組件(5)的適當的傾角(θ)設定為規定值；磨削步驟，將卡盤工作臺(9)所保持的晶片(200)利用粗磨削組件和精磨削組件進行磨削；研磨準備步驟，使旋轉工作臺進行旋轉，將磨削后的晶片(200)定位在研磨組件(5)的下方；旋轉軸調整步驟，利用控制裝置驅動傾角調整單元，將位于研磨組件(5)的下方的卡盤工作臺(9)的旋轉軸(92)的傾角(θ)調整為上述的規定值；以及研磨步驟，利用研磨組件(5)對晶片(200)進行研磨。

技術領域

本發明涉及對晶片進行加工的晶片的加工方法。

背景技術

通常，對于在表面形成了半導體器件的由硅等構成的半導體晶片、或形成了光器件的由藍寶石、SiC(碳化硅)等構成的光器件晶片等各種晶片，將背面側用磨削磨具進行磨削使其薄化后(例如參見專利文獻1)，對背面進行研磨。作為這種對晶片進行加工的加工裝置，已知有下述的加工裝置，其具有分別保持晶片的多個卡盤工作臺、配設多個卡盤工作臺的旋轉工作臺、以及分別設置于卡盤工作臺的上方的粗磨削用的磨削單元、精磨削用的磨削單元和研磨單元，以粗磨削、精磨削、研磨這樣的順序對1片晶片連續進行加工。

在這種加工裝置中，為了抑制加工后的晶片的厚度偏差，對卡盤工作臺的旋轉軸相對于精磨削用的磨削單元的傾角進行調整。多個卡盤工作臺分別在支承卡盤工作臺的部件(基座部、多孔部)的高度或形狀方面存在個體差異。因此，對于每個卡盤工作臺，有時會產生旋轉軸的傾角不同的狀態。與之相對，在進行最終加工的研磨用的研磨單元中，以往并未對卡盤工作臺的旋轉軸的傾角進行調整。

其原因在于，(1)進行研磨的量很微小，為數um；(2)由于研磨墊為比磨削用磨輪更柔軟的原材料，因而即使保持晶片的卡盤工作臺的旋轉軸的傾角在每個卡盤工作臺中稍有不同，在將研磨墊抵壓在晶片上進行磨削時，研磨墊也會發生變形而被抵壓在晶片上來進行研磨；(3)即使發生研磨不良，也是不會影響品質的范圍。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2013-119123號公報

發明內容

發明所要解決的課題

但是，近年來，研磨墊的材質呈多樣化，也存在具有無法追從卡盤工作臺的旋轉軸的傾角而發生變形的硬度的研磨墊。在使用這種研磨墊進行研磨加工的情況下，由于卡盤工作臺的旋轉軸的傾角不同，具有在晶片的加工面會產生干擾品質的未加工區域或焦糊等研磨不良的問題。另外，即使在對品質無影響的情況下，出于美觀性差的原因，也希望消除加工面的未加工區域或焦糊。

本發明是鑒于上述情況而完成的，其目的在于提供一種晶片的加工方法，其實現了晶片研磨不良的降低。

用于解決課題的手段

為了解決上述課題、實現目的，本發明提供一種晶片的加工方法，其是利用加工裝置將該晶片薄化至規定厚度的晶片的加工方法，該加工裝置至少具備：可旋轉地保持晶片的卡盤工作臺、對該晶片進行磨削的磨削單元、對通過該磨削單元磨削后的晶片進行研磨的研磨單元、配設有多個該卡盤工作臺且能夠旋轉的旋轉工作臺、以及驅動控制各構成要素的控制部，該方法的特征在于，該卡盤工作臺至少具備：保持該晶片的保持面、通過該保持面的中心的旋轉軸、以及調整該旋轉軸的傾角的傾角調整單元，該方法具備下述步驟：規定值設定步驟，將該旋轉軸相對于該研磨單元的適當的傾角設定為規定值；磨削步驟，將該卡盤工作臺所保持的晶片利用該磨削單元進行磨削；研磨準備步驟，使該旋轉工作臺進行旋轉，將在該磨削步驟中磨削后的晶片定位在該研磨單元的下方；旋轉軸調整步驟，該控制部驅動該傾角調整單元，將位于該研磨單元的下方的該卡盤工作臺的該旋轉軸的傾角調整為該規定值；以及研磨步驟，利用該研磨單元對該晶片進行研磨。