[發明專利]半導體結構及其形成方法

有效

• 申請號: 201810792703.0
• 申請日: 2018-07-18
• 公開（公告）號: CN110739210B
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發明（設計）人: 王楠
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033;H01L21/308;H01L27/11
• 代理公司: 上海知錦知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31327
• 代理人: 高靜;李麗

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成若干分立的核心層；

在所述核心層的側壁上形成犧牲側墻，位于所述核心層一側的犧牲側墻為第一犧牲側墻，位于所述核心層另一側的犧牲側墻為第二犧牲側墻，所述第一犧牲側墻和第二犧牲側墻間隔設置；

在所述第一犧牲側墻的側壁上形成第一掩膜側墻；

形成所述第一掩膜側墻后，去除所述核心層，在所述犧牲側墻內形成露出所述基底的開口；

在所述開口露出的第二犧牲側墻的側壁上形成第二掩膜側墻；

形成所述第二掩膜側墻后，去除所述犧牲側墻；

去除所述犧牲側墻后，以所述第一掩膜側墻和第二掩膜側墻為掩膜刻蝕所述基底，形成目標圖形。

2.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述第一犧牲側墻的側壁上形成第一掩膜側墻的步驟包括：在所述第一犧牲側墻的側壁和第二犧牲側墻的側壁上形成第一初始掩膜側墻；

在所述基底上形成第一光刻膠層，所述第一光刻膠層露出所述第二犧牲側墻側壁上的第一初始掩膜側墻；

以所述第一光刻膠層為掩膜，刻蝕去除所述第二犧牲側墻側壁上的第一初始掩膜側墻，保留所述第一犧牲側墻側壁上的第一初始掩膜側墻作為所述第一掩膜側墻；

形成所述第一掩膜側墻后，去除所述第一光刻膠層。

3.如權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述第一犧牲側墻的側壁和第二犧牲側墻的側壁上形成第一初始掩膜側墻的步驟中，形成所述第一初始掩膜側墻的工藝包括原子層沉積工藝或化學氣相沉積工藝。

4.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述第一犧牲側墻的側壁上形成第一掩膜側墻后，去除所述核心層之前，還包括：在所述基底上形成保護層，所述保護層覆蓋所述犧牲側墻的側壁以及所述第一掩膜側墻的側壁和頂部，且露出所述核心層的頂部。

5.如權利要求4所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述開口露出的第二犧牲側墻的側壁上形成第二掩膜側墻后，刻蝕所述基底之前，還包括：去除所述保護層。

6.如權利要求4所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成保護層的步驟包括：在所述基底上形成保護材料層，所述保護材料層覆蓋所述核心層頂部；

對所述保護材料層進行平坦化處理，使剩余保護材料層露出所述核心層頂部，所述平坦化處理后的剩余保護材料層用于作為所述保護層。

7.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述開口露出的第二犧牲側墻的側壁上形成第二掩膜側墻的步驟包括：在所述開口露出的第一犧牲側墻側壁和第二犧牲側墻側壁上形成第二初始掩膜側墻；

在所述基底上形成第二光刻膠層，所述第二光刻膠層露出所述第一犧牲側墻側壁上的第二初始掩膜側墻；

以所述第二光刻膠層為掩膜，刻蝕去除所述第一犧牲側墻側壁上的第二初始掩膜側墻，保留所述第二犧牲側墻側壁上的第二初始掩膜側墻作為所述第二掩膜側墻；

形成所述第二掩膜側墻后，去除所述第二光刻膠層。

8.如權利要求7所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述開口露出的第一犧牲側墻側壁和第二犧牲側墻側壁上形成第二初始掩膜側墻的步驟中，形成所述第二初始掩膜側墻的工藝包括原子層沉積工藝或化學氣相沉積工藝。

9.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述核心層、犧牲側墻、第一掩膜側墻和第二掩膜側墻中任一個的材料為無定形硅、無定形碳、無定形鍺、氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氮化碳、多晶硅、碳化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅、ODL材料、DARC材料或BARC材料。

10.如權利要求4所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述保護層的材料為BARC材料、ODL材料、DARC材料、DUO材料、APF材料或無定形碳。