[發明專利]一種槽柵IGBT芯片及其制造方法在審
| 申請號： | 201810792044.0 | 申請日： | 2018-07-18 |
| 公開（公告）號： | CN108878290A | 公開（公告）日： | 2018-11-23 |
| 發明（設計）人： | 陳利;陳譯;陳劍;姜帆;張軍亮 | 申請（專利權）人： | 廈門芯一代集成電路有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/331 | 分類號： | H01L21/331;H01L29/739;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京科家知識產權代理事務所(普通合伙) 11427 | 代理人： | 陳娟 |
| 地址： | 361000 福建省廈門市中國(福建)*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 絕緣層 絕緣溝槽 制造 刻蝕 種槽 填充 物理氣相淀積 金屬硅化物 金屬連接孔 快速熱退火 二氧化硅 方式淀積 硅片表面 化學藥液 混合堿性 器件溝槽 濕法刻蝕 整體裝置 窗口處 導電層 鋁合金 硅片 槽柵 淀積 源區 離子 金屬 應用 | ||
1.一種槽柵IGBT芯片及其制造方法，其特征在于，具體制造方法步驟如下：
步驟一：在硅片的一側刻蝕出絕緣溝槽，在絕緣溝槽內填充第一絕緣層，在第一絕緣層的外側填充與P型基片接觸的導電層；
步驟二：在步驟一的基礎上在硅片表面大面積離子注入對應于器件溝槽區的P型層和源區的N型層；
步驟三：在步驟二的基礎上采用快速熱退火的方式將Ti和金屬連接孔中的硅反應形成TiSi2金屬硅化物，使用NH4OH和H2O2混合堿性化學藥液將未反應的金屬Ti刻蝕掉，采用物理氣相淀積的方式淀積一層鋁或鋁合金；
步驟四：在步驟三的基礎上在N型層的窗口處淀積二氧化硅隨后進行濕法刻蝕，再對整個N型層襯底正面離子注入硼，作退火、推結處理后形成位于中間的P型層，同時多晶硅層中注入P型雜質硼；
步驟五：在步驟四的基礎上在硅片的表面噴涂有散熱涂層，放入到干燥機中快速干燥后，再在其表層噴涂一層耐腐蝕涂層；
步驟六：在步驟五的基礎上N型襯底背面金屬化制作集電極。
2.根據權利要求1所述的一種槽柵IGBT芯片及其制造方法，其特征在于：步驟一中刻槽后的第一次氧化，用溶劑漂去氧化層。
3.根據權利要求1所述的一種槽柵IGBT芯片及其制造方法，其特征在于：步驟二中P層與源極的外部互連，自動形成多重溝道短路結構。
4.根據權利要求1所述的一種槽柵IGBT芯片及其制造方法，其特征在于：步驟三中采用光刻、刻蝕、剝膠的標準流程，刻出預設金屬圖形。
5.根據權利要求1所述的一種槽柵IGBT芯片及其制造方法，其特征在于：步驟四對整個N型層襯底正面離子注入磷，作退火、推結處理后形成N型層，同時多晶硅層中注入N型層雜質磷。
6.根據權利要求1所述的一種槽柵IGBT芯片及其制造方法，其特征在于：步驟五中散熱涂層為導熱硅膠層，耐腐蝕涂層為合成樹脂層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
