[發(fā)明專利]大電流供電保護(hù)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810791996.0
• 申請(qǐng)日: 2018-07-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108879591B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-02-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張立新
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市沃特沃德股份有限公司
• 主分類號(hào): H02H3/08
• 分類號(hào): H02H3/08;H02H3/20
• 代理公司: 44343 深圳市明日今典知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 王杰輝

本發(fā)明揭示了一種大電流供電保護(hù)電路，包括電壓輸入端、電壓輸出端、PTC并聯(lián)電路、MOS管開(kāi)關(guān)電路、電壓檢測(cè)控制電路、瞬間電流檢測(cè)開(kāi)關(guān)電路和DC?DC升壓電路，其中，PTC并聯(lián)電路用于進(jìn)行平均電流的檢測(cè)保護(hù)和過(guò)熱保護(hù)，MOS管開(kāi)關(guān)電路用于進(jìn)行過(guò)壓保護(hù)和瞬間過(guò)流保護(hù)；電壓檢測(cè)控制電路用于當(dāng)輸入電壓超過(guò)設(shè)定上限時(shí)，控制MOS管開(kāi)關(guān)電路由導(dǎo)通到關(guān)閉；瞬間電流檢測(cè)開(kāi)關(guān)電路用于對(duì)PTC并聯(lián)電路兩端的電壓進(jìn)行監(jiān)測(cè)，當(dāng)電流超過(guò)設(shè)定上限時(shí)，通過(guò)控制電壓檢測(cè)控制電路來(lái)控制MOS管開(kāi)關(guān)電路由導(dǎo)通到關(guān)閉；DC?DC升壓電路，用于導(dǎo)通MOS管開(kāi)關(guān)電路。本發(fā)明可對(duì)算力芯片進(jìn)行保護(hù)，防止在電源浪涌、電源模組出故障時(shí)或算力板電流異常變大時(shí)而損壞算力芯片。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及到供電技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及到一種大電流供電保護(hù)電路。

背景技術(shù)

挖礦機(jī)等系統(tǒng)的算力板需用算力芯片陣列，為了省電，許多個(gè)算力芯片核心常采用多并多串的供電架構(gòu)，ASIC算力芯片內(nèi)部采用多核心并聯(lián)其工作電壓低但電流大，多芯片并聯(lián)后單算力板電流往往達(dá)到數(shù)十甚至上百安培，采用多組芯片串聯(lián)供電后供電電壓變化對(duì)電流的影響也比較大,而電流大就意味著傳輸損耗大，保護(hù)起來(lái)也有難度，由于挖礦機(jī)整機(jī)功耗大、工作環(huán)境惡劣，因此容易出現(xiàn)電源浪涌、電源模組故障或算力板電流異常變大等情況，使得算力芯片被損壞，為防止算力芯片被損壞，因此需要對(duì)其進(jìn)行保護(hù)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的為提供一種大電流供電保護(hù)電路，該大電流供電保護(hù)電路可對(duì)算力芯片進(jìn)行保護(hù)，防止在電源浪涌、電源模組出故障時(shí)或算力板電流異常變大時(shí)而損壞算力芯片。

本發(fā)明提出一種大電流供電保護(hù)電路，包括電壓輸入端、電壓輸出端、PTC并聯(lián)電路、MOS管開(kāi)關(guān)電路、電壓檢測(cè)控制電路、瞬間電流檢測(cè)開(kāi)關(guān)電路和DC-DC升壓電路，其中，

PTC并聯(lián)電路，用于進(jìn)行限流保護(hù)和過(guò)熱保護(hù)；

MOS管開(kāi)關(guān)電路，用于進(jìn)行過(guò)壓保護(hù)和瞬間過(guò)流保護(hù)；

電壓檢測(cè)控制電路，用于當(dāng)輸入電壓超過(guò)設(shè)定上限時(shí)，控制MOS管開(kāi)關(guān)電路由導(dǎo)通到關(guān)閉；

瞬間電流檢測(cè)開(kāi)關(guān)電路，用于對(duì)PTC并聯(lián)電路兩端的電壓進(jìn)行監(jiān)測(cè)，當(dāng)電流超過(guò)設(shè)定上限時(shí)，通過(guò)控制電壓檢測(cè)控制電路來(lái)控制MOS管開(kāi)關(guān)電路由導(dǎo)通到關(guān)閉；

DC-DC升壓電路，用于導(dǎo)通MOS管開(kāi)關(guān)電路；

電壓輸入端、PTC并聯(lián)電路、MOS管開(kāi)關(guān)電路、電壓輸出端順序連接，電壓輸入端與MOS管開(kāi)關(guān)電路之間分別連接電壓檢測(cè)控制電路、DC-DC升壓電路，瞬間電流檢測(cè)開(kāi)關(guān)電路并聯(lián)PTC并聯(lián)電路且與電壓檢測(cè)控制電路相連接。

進(jìn)一步地，MOS管開(kāi)關(guān)電路包括NMOS管Q3，NMOS管Q3的漏極連接PTC并聯(lián)電路的輸出端，NMOS管Q3的源極連接電壓輸出端，NMOS管Q3的柵極分別與電壓檢測(cè)控制電路、DC-DC升壓電路的輸出端相連接。

進(jìn)一步地，電壓檢測(cè)控制電路包括電阻R1、穩(wěn)壓二極管ZD1、電阻R2、三極管Q2和電阻R8，穩(wěn)壓二極管ZD1的負(fù)極通過(guò)電阻R1與電壓輸入端相連接，電阻R2的第一端分別與穩(wěn)壓二極管ZD1的正極、瞬間電流檢測(cè)開(kāi)關(guān)電路的輸出端、三極管Q2的基極相連接，電阻R2的第二端接地；三極管Q2的集電極連接NMOS管Q3的柵極，電阻R8的第一端連接三極管Q2的發(fā)射極，電阻R8的第二端接地。

進(jìn)一步地，瞬間電流檢測(cè)開(kāi)關(guān)電路包括電阻R6、電阻R7、三極管Q1和電容C3，電阻R6的第一端連接三極管Q1的基極，電阻R6的第二端連接PTC并聯(lián)電路的輸出端；三極管Q1的發(fā)射極連接PTC并聯(lián)電路的輸入端，電阻R7的第一端分別與三極管Q1的集電極、電容C3的第一端相連接，電阻R7的第二端分別與穩(wěn)壓二極管ZD1的正極、電阻R2的第一端、三極管Q2的基極相連接；電容C3的第二端接地。