[發明專利]偵測輸入電壓上升速度的電路及方法

有效

• 申請號: 201810791970.6
• 申請日: 2018-07-18
• 公開（公告）號: CN109188306B
• 公開（公告）日: 2019-11-26
• 發明（設計）人: 張先明
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: G01R31/40
• 分類號: G01R31/40
• 代理公司: 44265 深圳市德力知識產權代理事務所
• 代理人: 林才桂;劉巍<國際申請>=<國際公布>=

1.一種偵測輸入電壓上升速度的電路，其特征在于，包括：

分壓電路(1)，用于將輸入電壓分壓以提供第一電壓(V1)；

充電電路(2)，其包括電容(C1)、開關(K)及電流源，該電流源連接開關(K)的輸入端，該開關(K)的輸出端連接電容(C1)的第一端，電容(C1)的第二端接地，該開關(K)的控制端連接第一比較器的輸出端，該電容(C1)的第一端提供第二電壓(V2)；

第一比較器(OP1)，用于比較輸入的第一電壓(V1)和第一參考電壓(VREF1)，輸出的比較結果用于控制所述開關(K)；

第二比較器(OP2)，用于比較輸入的第二電壓(V2)和第四參考電壓(VREF4)，輸出第一結果(L)；

第三比較器(OP3)，用于比較輸入的第二電壓(V2)和第三參考電壓(VREF3)，輸出第二結果(M)；

第四比較器(OP4)，用于比較輸入的第一電壓(V1)和第二參考電壓(VREF2)，輸出第三結果(N)，該第三結果(N)為邏輯判斷器的使能信號；當滿足第一電壓(V1)大于第二參考電壓(VREF2)時，該第三結果(N)使能邏輯判斷器；

邏輯判斷器，用于接收第一結果(L)、第二結果(M)及第三結果(N)，并根據第三結果(N)確定是否需要進行邏輯判斷，當確定需要進行邏輯判斷時，根據預設邏輯、第一結果(L)和第二結果(M)判斷輸入電壓上升速度，輸出第四結果(Q)；

其中，第三參考電壓(VREF3)大于第四參考電壓(VREF4)，第二參考電壓(VREF2)大于第一參考電壓(VREF1)。

2.如權利要求1所述的偵測輸入電壓上升速度的電路，其特征在于，所述邏輯判斷器根據預設邏輯、第一結果(L)和第二結果(M)判斷輸入電壓上升速度，輸出第四結果(Q)包括：

若第二電壓(V2)小于第四參考電壓(VREF4)且小于第三參考電壓(VREF3)，則邏輯判斷器判斷輸入電壓上升速度過快；

若第二電壓(V2)大于第四參考電壓(VREF4)且小于第三參考電壓(VREF3)，則邏輯判斷器判斷輸入電壓上升速度正常；

若第二電壓(V2)大于第四參考電壓(VREF4)且大于第三參考電壓(VREF3)，則邏輯判斷器判斷輸入電壓上升速度過慢。

3.如權利要求1所述的偵測輸入電壓上升速度的電路，其特征在于，所述偵測輸入電壓上升速度的電路內置于控制板上的電源管理電路內；系統級芯片的兩端分別連接交流直流轉換電路和所述控制板；所述邏輯判斷器將第四結果(Q)發送給系統級芯片，供所述系統級芯片根據第四結果(Q)控制交流直流轉換電路產生輸入電壓的上升速度。

4.如權利要求1所述的偵測輸入電壓上升速度的電路，其特征在于，當第一電壓(V1)大于第一參考電壓(VREF1)時，第一比較器(OP1)輸出的比較結果控制所述開關(K)閉合。

5.如權利要求1所述的偵測輸入電壓上升速度的電路，其特征在于，所述分壓電路(1)包括第一電阻和第二電阻，第一電阻的第一端連接輸入電壓，第一電阻的第二端和第二電阻的第一端相連接并提供第一電壓(V1)，第二電阻的第二端接地。

6.如權利要求1所述的偵測輸入電壓上升速度的電路，其特征在于，所述開關(K)為三極管或金屬氧化物半導體晶體管。

7.如權利要求1所述的偵測輸入電壓上升速度的電路，其特征在于：

第一比較器(OP1)的同相輸入端輸入第一電壓(V1)，反相輸入端輸入第一參考電壓(VREF1)；

第二比較器(OP2)的同相輸入端輸入第二電壓(V2)，反相輸入端輸入第四參考電壓(VREF4)；

第三比較器(OP3)的同相輸入端輸入第二電壓(V2)，反相輸入端輸入第三參考電壓(VREF3)；

第四比較器(OP4)的同相輸入端輸入第一電壓(V1)，反相輸入端輸入第二參考電壓(VREF2)。