[發明專利]半導體結構在審
| 申請號： | 201810790101.1 | 申請日： | 2018-07-18 |
| 公開（公告）號： | CN110379855A | 公開（公告）日： | 2019-10-25 |
| 發明（設計）人： | 戴榮吉;金志昀;林衍廷;李彥儒;鄭培仁;李啟弘 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 聶慧荃;閆華 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體結構 鰭狀物 源極/漏極 柵極結構 頂層 支援 自然晶格常數 基板 合金 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體結構，包括：
一鰭狀物，位于一基板上；
一柵極結構，位于該鰭狀物上；以及
一源極/漏極，位于該鰭狀物中并與該柵極結構相鄰，且該源極/漏極包括：
一底層；
一支援層，位于該底層上；以及
一頂層，位于該支援層上，其中該支援層的一特性不同于該底層與該頂層的該特性，且該特性是材料、自然晶格常數、雜質濃度、或合金％含量。
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