[發(fā)明專利]碳納米管復合薄膜的制備方法、碳納米管TFT及其制備方法

有效

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• 申請日: 2018-07-18
• 公開（公告）號: CN108987576B
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發(fā)明（設計）人: 謝華飛
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L51/00;H01L51/40;B82Y30/00;B82Y10/00
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產(chǎn)權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰;陽志全

1.一種碳納米管復合薄膜的制備方法，其特征在于，包括：

提供一襯底；

在所述襯底上涂覆溶有帶電聚合物的第一水溶液，以形成聚合物薄膜；

將半導體型單壁碳納米管分散至溶有帶電化合物的第二水溶液中，得到半導體型單壁碳納米管水溶液，具體包括：

將高壓一氧化碳法制備的單壁碳納米管粉末通過超聲分散于溶有雙親性帶電荷小分子化合物的第二水溶液中，所述單壁碳納米管粉末為金屬型單壁碳納米管與半導體型單壁碳納米管的混合物；

雙親性帶電荷小分子化合物選擇性的包裹半導體型單壁碳納米管；

離心去除金屬型單壁碳納米管，得到半導體型單壁碳納米管水溶液；

其中，所述帶電化合物為雙親性帶電荷小分子化合物，與所述帶電聚合物的電荷性質相反；

將所述半導體型單壁碳納米管水溶液涂覆在所述聚合物薄膜上；

靜置預定時間后，用去離子水沖洗以去除未吸附的半導體型單壁碳納米管和多余的帶電聚合物；

風干，在所述聚合物薄膜上形成碳納米管薄膜。

2.根據(jù)權利要求1所述的碳納米管復合薄膜的制備方法，其特征在于，還包括：在所述襯底上涂覆溶有帶電聚合物的第一水溶液后，通過氣刀吹干所述襯底；在將所述半導體型單壁碳納米管水溶液涂覆在所述聚合物薄膜后，通過氣刀吹干所述聚合物薄膜。

3.根據(jù)權利要求2所述的碳納米管復合薄膜的制備方法，其特征在于，所述帶電聚合物為聚賴氨酸、聚乙烯亞胺或殼聚糖。

4.根據(jù)權利要求1-3任一所述的碳納米管復合薄膜的制備方法，其特征在于，所述雙親性帶電荷小分子化合物為膽酸鈉或脫氧膽酸鈉。

5.一種碳納米管TFT的制備方法，其特征在于，包括：

提供一基板(10)作為襯底；

采用權利要求1-4任一所述的碳納米管復合薄膜的制備方法，在所述基板(10)上制備聚合物薄膜(2)和碳納米管薄膜(3)；

分別對所述碳納米管薄膜(3)和所述聚合物薄膜(2)圖形化處理，得到圖形化的碳納米管有源層(30)和圖形化的聚合物層(20)；

在所述碳納米管有源層(30)上制作源/漏極(S/D)。

6.根據(jù)權利要求5所述的碳納米管TFT的制備方法，其特征在于，分別對所述碳納米管薄膜(3)和所述聚合物薄膜(2)圖形化處理，得到圖形化的碳納米管有源層(30)和圖形化的聚合物層(20)具體包括：

在所述碳納米管薄膜(3)表面涂布光刻膠；

對所述光刻膠進行曝光、顯影，并通過氧氣等離子干刻蝕去除未被所述光刻膠覆蓋的碳納米管薄膜(3)和聚合物薄膜(2)，得到碳納米管有源層(30)和聚合物層(20)。

7.根據(jù)權利要求5或6所述的碳納米管TFT的制備方法，其特征在于，還包括：在所述基板(10)上制備聚合物薄膜(2)和碳納米管薄膜(3)前，在所述基板(10)上依次制作圖形化的柵極(11)、在所述基板(10)上沉積覆蓋所述柵極(11)的柵極絕緣層(12)。

8.根據(jù)權利要求5或6所述的碳納米管TFT的制備方法，其特征在于，還包括：在所述源/漏極(S/D)制作完成后，在所述基板(10)上沉積同時覆蓋所述碳納米管有源層(30)、所述源/漏極(S/D)的柵極絕緣層(12)，并在所述柵極絕緣層(12)上制作與所述碳納米管有源層(30)正對的柵極(11)。

9.一種碳納米管TFT，其特征在于，使用權利要求5-8任一所述的碳納米管TFT的制備方法制備而成，包括：基板(10)、設于所述基板(10)上的聚合物層(20)、設于所述聚合物層(20)上的碳納米管有源層(30)以及源/漏極(S/D)、柵極絕緣層(12)、柵極(11)。