[發明專利]LED陣列及其制備方法

在審

• 申請號: 201810787271.4
• 申請日: 2018-07-18
• 公開（公告）號: CN109037201A
• 公開（公告）日: 2018-12-18
• 發明（設計）人: 朱浩;范振燦;劉國旭
• 申請（專利權）人: 易美芯光（北京）科技有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L33/48
• 代理公司: 南昌新天下專利商標代理有限公司 36115
• 代理人: 施秀瑾

1.一種LED陣列，其特征在于，所述LED陣列中包括：

支撐襯底；

設置于所述支撐襯底表面預設位置的多個LED結構，所述LED結構中依次包括金屬反射層、P電極、外延層及N電極；

于所述支撐襯底表面與LED結構一一對應設置的MOS管，所述LED結構通過金屬反射層和/或P電極與MOS管串聯連接，每個所述LED結構通過與之連接的MOS管控制通斷。

2.如權利要求1所述的LED陣列，其特征在于，當所述MOS管為N溝道MOS管時，LED結構通過金屬反射層和/或P電極與MOS管的源極連接，且所述MOS管的柵極與外界控制端連接、漏極接電源正極。

3.如權利要求1所述的LED陣列，其特征在于，當所述MOS管為P溝道MOS管時，LED結構通過金屬反射層和/或P電極與MOS管的漏極連接，且所述MOS管的柵極與外界控制端連接、源極接電源正極。

4.一種LED陣列制備方法，其特征在于，所述制備方法中包括：

S10 在生長襯底上生長外延層，并在所述外延層表面蒸發或濺射P電極和金屬反射層，得到外延結構；

S20 將預留位置處的外延結構去除；

S30 將生長襯底表面余下的外延結構轉移至支撐襯底，并去除生長襯底；

S40 在支撐襯底上預留位置處制備MOS管；

S50 在外延結構中露出的外延層表面蒸發或濺射N電極，得到LED結構；

S60 沉積連接金屬，將LED結構與MOS管串聯連接，得到LED陣列。

5.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于，在步驟S20中，去除的外延結構與余下的外延結構的位置一一對應。

6.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于，

在步驟S40，在支撐襯底上預留位置處制備MOS管中，具體為，在支撐襯底上預留位置處制備N溝道MOS管；

在步驟S60，沉積連接金屬，將LED結構與MOS管串聯連接中，具體為：沉積連接金屬，將LED結構中的金屬反射層和/或P電極與MOS管的源極連接，將MOS管的柵極與外界控制端連接、漏極接電源正極。

7.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于，在步驟S20中，包括：

在步驟S40，在支撐襯底上預留位置處制備MOS管中，具體為，在支撐襯底上預留位置處制備P溝道MOS管；

在步驟S60，沉積連接金屬，將LED結構與MOS管串聯連接中，具體為：沉積連接金屬，將LED結構中的金屬反射層和/或P電極與MOS管的漏極連接，將MOS管的柵極與外界控制端連接、源極接電源正極。

8.如權利要求4-7任意一項所述的制備方法，其特征在于，在步驟S40，在支撐襯底上預留位置處制備MOS管中，采用沉積的方法制備柵極氧化硅。

9.如權利要求4-7任意一項所述的制備方法，其特征在于，所述N電極/P電極為ITO或Al或Au。

10.如權利要求4-7任意一項所述的制備方法，其特征在于，所述金屬反射層為Cr或Pt或Al或Au。