[發(fā)明專利]新三甲硅烷基胺衍生物、其制備方法以及使用其的含硅薄膜

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810787047.5
• 申請日: 2015-01-08
• 公開（公告）號: CN108794521B
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張世珍;李相道;金宗炫;金成基;金度延;楊炳日;昔壯衒;李相益;金銘云
• 申請（專利權(quán)）人: DNF有限公司
• 主分類號: C07F7/10
• 分類號: C07F7/10;C07F7/12
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;李釗博

提供了新三甲硅烷基胺衍生物，其具有熱穩(wěn)定性、高揮發(fā)性和高反應(yīng)性并且在室溫下和壓力下呈液態(tài)(可以進行處理)的化合物，其可以通過多種沉積方法形成具有優(yōu)良物理和電學(xué)特性的高純度含硅薄膜。

本申請是名為“新三甲硅烷基胺衍生物、其制備方法以及使用其的含硅薄膜”、申請日為2015年1月8日、申請?zhí)枮?01580009063.6的中國發(fā)明專利申請的分案申請。申請201580009063.6是根據(jù)專利合作條約提交的國際申請PCT/KR2015/000168進入中國國家階段的國家申請。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及到新三甲硅烷基胺衍生物、用于制備其的方法和使用其的含硅薄膜，并且更特別地涉及具有熱穩(wěn)定性和高揮發(fā)性并在室溫和壓力下呈液態(tài)(可以進行處理)的新三甲硅烷基胺衍生物、用于制備其的方法和使用其的含硅薄膜。

背景技術(shù)

通過半導(dǎo)體領(lǐng)域中的多種沉積方法，含硅薄膜被制成多種形狀，如硅膜、二氧化硅膜、氮化硅膜、碳氮化硅膜、氮氧化硅膜等，并且被廣泛應(yīng)用于許多領(lǐng)域中。

特別地，歸因于其顯著優(yōu)良的阻擋性和抗氧化性，二氧化硅膜和氮化硅膜可以在制造裝置中起絕緣膜、防擴散膜、硬質(zhì)掩模、蝕刻停止層、籽晶層、間隔物、溝槽隔離物、金屬間介電材料和保護層的作用。

近期，多晶硅薄膜已經(jīng)被用于薄膜晶體管(TFT)、太陽能電池等，并且因此，其應(yīng)用領(lǐng)域得到了改變。

作為已知用于制造含硅薄膜的典型技術(shù)，存在通過使混合氣體形式的硅前體與反應(yīng)氣體反應(yīng)在基底表面上形成膜或者通過在表面上直接反應(yīng)形成膜的金屬有機化學(xué)氣相沉積(MOCVD)；以及在基底表面上物理或化學(xué)吸附氣體形式的硅前體，隨后依次引入反應(yīng)氣體形成膜的原子層沉積(ALD)。另外，用于制造薄膜的多種技術(shù)，如低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)、等離子體增強原子層沉積(PEALD)(使用能夠在低溫下沉積的等離子體)等被用于下一代半導(dǎo)體和顯示裝置制造工藝，由此被用于形成超精細圖案和沉積在納米尺寸的厚度下具有均勻和優(yōu)良特性的超薄膜。

如韓國專利特許公開No.KR 2007-0055898中所述的用于形成含硅薄膜的前體的典型實例包括硅烷、硅烷氯化物、氨基硅烷和烷氧基硅烷，并且更具體地，硅烷氯化物如二氯硅烷(SiH₂Cl₂)和六氯二硅烷(Cl₃SiSiCl₃)；以及三甲硅烷基胺(N(SiH₃)₃)、雙-二乙基氨基硅烷(H₂Si(N(CH₂CH₃)2)₂)和二異丙基氨基硅烷(H₃SiN(i-C₃H₇)₂)等被用于半導(dǎo)體和顯示器的大規(guī)模生產(chǎn)。

然而，根據(jù)由裝置的超高集成導(dǎo)致的裝置微型化、縱橫比的增加以及裝置材料的多樣化，需要形成具有均勻和薄的厚度以及在期望低溫下具有優(yōu)良電學(xué)特性的超精細薄膜的技術(shù)，并且因此，在使用現(xiàn)有硅前體時，600或更高的高溫工藝、階梯覆蓋的劣化、蝕刻特性以及薄膜的物理和電學(xué)特性成為問題，并且因此，需要開發(fā)優(yōu)良的新硅前體。

發(fā)明內(nèi)容

技術(shù)問題

本發(fā)明的一個目的是提供新三甲硅烷基胺衍生物。

另外，本發(fā)明的另一個目的是提供作為用于薄膜沉積的前體化合物的新三甲硅烷基胺衍生物。

此外，本發(fā)明的另一個目的是提供用于制備三甲硅烷基胺衍生物的方法。

另外，本發(fā)明的另一個目的是提供用于沉積含硅薄膜的組合物，其包含本發(fā)明的三甲硅烷基胺衍生物；用于制造含硅薄膜的方法；和通過使用本發(fā)明的三甲硅烷基胺衍生物制造的含硅薄膜。

技術(shù)方案