[發明專利]電感耦合裝置、工藝腔室和半導體處理設備

有效

• 申請號: 201810786124.5
• 申請日: 2018-07-17
• 公開（公告）號: CN110729165B
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發明（設計）人: 李興存
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

1.一種電感耦合裝置，用于在工藝腔室內激發并維持等離子體，所述電感耦合裝置包括射頻線圈和射頻電源，所述射頻電源經由匹配器與所述射頻線圈的輸入端電連接，其特征在于，所述電感耦合裝置還包括直流電源，所述直流電源與所述射頻線圈的輸入端電連接，以使得所述射頻線圈能夠產生靜磁場，所述靜磁場用于提高等離子體密度和自由基密度；

所述電感耦合裝置還包括第一濾波器和第二濾波器；其中，

所述直流電源的第一極經由所述第一濾波器與所述射頻線圈的輸入端電連接；

所述直流電源的第二極經由所述第二濾波器與所述射頻線圈的輸出端電連接。

2.根據權利要求1所述的電感耦合裝置，其特征在于，所述第一濾波器包括第一電感，所述第二濾波器包括第二電感；其中，

所述第一電感的第一端與所述直流電源的第一極電連接，所述第一電感的第二端與所述射頻線圈的輸入端電連接；

所述第二電感的第一端與所述射頻線圈的輸出端電連接，所述第二電感的第二端與所述直流電源的第二極電連接。

3.根據權利要求2所述的電感耦合裝置，其特征在于，所述電感耦合裝置還包括隔直電容；

所述隔直電容的第一端經由所述匹配器與所述射頻電源電連接，所述隔直電容的第二端分別與所述射頻線圈的輸入端、所述第一電感的第二端電連接。

4.根據權利要求2所述的電感耦合裝置，其特征在于，所述第一濾波器還包括第一電容，所述第二濾波器還包括第二電容；

所述第一電容的第一端與所述第一電感的第一端電連接，所述第一電容的第二端接地；

所述第二電容的第一端分別與所述射頻線圈的輸出端、所述第二電感的第一端電連接，所述第二電容的第二端接地。

5.根據權利要求4所述的電感耦合裝置，其特征在于，所述第二電容的容抗為所述射頻線圈的感抗的45％～55％。

6.根據權利要求2至5中任意一項所述的電感耦合裝置，其特征在于，所述第一電感和/或所述第二電感的感抗大于2000Ω。

7.根據權利要求1至5中任意一項所述的電感耦合裝置，其特征在于，所述射頻線圈為立體線圈或平面線圈。

8.一種工藝腔室，包括腔室本體、介質窗以及電感耦合裝置，其特征在于，所述電感耦合裝置采用權利要求1至7中任意一項所述的電感耦合裝置，所述射頻線圈設置在所述介質窗外側。

9.一種半導體處理設備，其特征在于，包括權利要求8所述的工藝腔室。