[發(fā)明專利]一種粉末蒸發(fā)裝置及其使用方法和應(yīng)用

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810786067.0
• 申請日: 2018-07-17
• 公開（公告）號: CN110724934B
• 公開（公告）日: 2021-12-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州纖納光電科技有限公司
• 主分類號: C23C16/448
• 分類號: C23C16/448
• 代理公司: 杭州奧創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 33272
• 代理人: 楊文華

1.一種粉末蒸發(fā)裝置，包括底座，在所述底座上設(shè)置了加熱臺，其特征在于，在所述加熱臺上設(shè)置了可開啟和密閉的主腔體，在所述主腔體內(nèi)設(shè)置了容器，在所述容器內(nèi)盛裝有待蒸發(fā)的粉末材料，在所述容器的上方設(shè)有旋轉(zhuǎn)的粉末鋪平裝置，所述粉末鋪平裝置通過鋪平控制單元控制，所述粉末鋪平裝置包括升降并轉(zhuǎn)動的轉(zhuǎn)軸和設(shè)置在轉(zhuǎn)軸末端的刮刀，所述刮刀隨轉(zhuǎn)軸下降到待蒸發(fā)的粉末材料內(nèi)并對粉末材料進行攪拌，也隨轉(zhuǎn)軸下降到待蒸發(fā)的粉末材料的表面并把粉末材料的表面刮平；在所述主腔體上設(shè)置有充氣管路和抽氣管路，在所述抽氣管路上外接有廢氣過濾裝置和真空泵，所述真空泵通過抽氣管路抽取主腔體內(nèi)的廢氣，所述廢氣通過廢氣過濾裝置進行過濾；所述粉末鋪平裝置的轉(zhuǎn)軸一端設(shè)置在支撐架上，所述支撐架固定在底座上，所述轉(zhuǎn)軸的末端延伸到主腔體內(nèi)，所述刮刀設(shè)置在主腔體內(nèi)且位于容器的正上方，在所述刮刀兩側(cè)分別設(shè)有厚度測量裝置，所述容器為平底容器，所述待蒸發(fā)的粉末材料經(jīng)過所述粉末鋪平裝置刮平后，粉末材料在容器內(nèi)的厚度差不超過0.4mm，粉末材料在容器內(nèi)的平均厚度在2~10mm。

2.一種如權(quán)利要求1所述的粉末蒸發(fā)裝置的使用方法，其特征在于，包括如下步驟：

第一步驟、打開所述主腔體，將適量的待蒸發(fā)的粉末材料注入容器內(nèi)；

第二步驟、關(guān)上所述主腔體，通過真空泵對主腔體內(nèi)抽真空，同時對加熱臺進行加熱；

第三步驟、通過所述鋪平控制單元調(diào)整刮刀的高度，并控制刮刀繞轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)，在刮刀緊貼容器底部時，實現(xiàn)對粉末材料的翻攪，在所述刮刀距離容器底部一定高度時，實現(xiàn)對粉末材料的重新鋪展并將其表面刮平；

第四步驟、控制所述主腔體的溫度和真空度，持續(xù)地對容器內(nèi)的粉末材料進行加熱蒸發(fā)。

3.一種用于制備大面積鈣鈦礦半導(dǎo)體薄膜的面源裝置，其特征在于，在制備鈣鈦礦半導(dǎo)體薄膜時使用了如權(quán)利要求1所述的粉末蒸發(fā)裝置，或者采用如權(quán)利要求2所述的粉末蒸發(fā)裝置的使用方法來制備鈣鈦礦半導(dǎo)體薄膜。

4.如權(quán)利要求3所述的一種用于制備大面積鈣鈦礦半導(dǎo)體薄膜的面源裝置，其特征在于，待蒸發(fā)的粉末材料為鈣鈦礦前驅(qū)體粉末AX，其中，A為胺基、脒基或者堿族中至少一種，X為碘、溴、氯、硫氰根、氰根、氧氰根中至少一種陰離子。

5.如權(quán)利要求3所述的一種用于制備大面積鈣鈦礦半導(dǎo)體薄膜的面源裝置，其特征在于，所述加熱臺的加熱溫度控制在20℃~400℃的溫度范圍。

6.如權(quán)利要求3所述的一種用于制備大面積鈣鈦礦半導(dǎo)體薄膜的面源裝置，其特征在于，所述主腔體的真空度控制在10^-5Pa~10⁵Pa的氣壓范圍。

7.如權(quán)利要求3所述的一種用于制備大面積鈣鈦礦半導(dǎo)體薄膜的面源裝置，其特征在于，粉末材料的加熱蒸發(fā)持續(xù)時間為5分鐘~4小時。