[發明專利]用于質譜法的具有伸長捕集區域的微型帶電粒子阱

有效

• 申請號: 201810784433.9
• 申請日: 2013-05-21
• 公開（公告）號: CN109148255B
• 公開（公告）日: 2021-10-29
• 發明（設計）人: J.M.拉姆齊;K.舒爾策
• 申請（專利權）人: 北卡羅來納－查佩爾山大學
• 主分類號: H01J49/00
• 分類號: H01J49/00;H01J49/06;H01J49/42
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 譚祐祥

1.一種質譜系統，包括：

離子源；

離子檢測器；以及

定位在所述離子源和所述離子檢測器之間的離子阱，所述離子阱包括：

第一端蓋電極和第二端蓋電極，第一端蓋電極和第二端蓋電極定位在所述離子阱的相對側并且以小于2mm的距離隔開；以及

中心電極，定位在所述第一端蓋電極和所述第二端蓋電極之間并且包括延伸穿過所述中心電極的孔口，

所述孔口具有蛇形橫截面形狀。

2.根據權利要求1所述的系統，其中所述第二端蓋電極定位成靠近所述離子檢測器，所述系統還包括額外的帶電粒子屏蔽元件，以控制電離和離子排出位置。

3.根據權利要求2所述的系統，其中所述屏蔽元件定位成阻止從所述孔口的具有曲線橫截面形狀的一個或多個部分排出的帶電粒子。

4.根據權利要求3所述的系統，其中所述屏蔽元件定位成使得從所述孔口的具有非曲線橫截面形狀的一個或多個部分排出的帶電粒子不被所述屏蔽元件阻止。

5.根據權利要求1所述的系統，其中所述孔口包括多個直線部分，各直線部分具有寬度和在與所述寬度正交的方向上測量的長度，其中每個直線部分的長度對寬度的比值是大于1.5。

6.根據權利要求1所述的系統，其中所述孔口的橫截面形狀包括多個直線部分和連接數對所述直線部分的多個曲線部分。

7.根據權利要求1所述的系統，其中所述孔口包括S形橫截面形狀。

8.根據權利要求1所述的系統，其中所述第一端蓋電極和第二端蓋電極的每個包括限定穿過所述離子阱的路徑的開口，并且其中所述孔口定位成完全位于所述路徑中。

9.根據權利要求8所述的系統，其中所述第一端蓋電極和第二端蓋電極的每個包括定位在相應的所述開口中的導電網格。

10.一種質譜系統，包括：

離子源；

離子檢測器；以及

定位在所述離子源和所述離子檢測器之間的離子阱，所述離子阱包括：

第一端蓋電極和第二端蓋電極，第一端蓋電極和第二端蓋電極定位在所述離子阱的相對側并且以小于2mm的距離隔開；以及

中心電極，定位在所述第一端蓋電極和所述第二端蓋電極之間并且包括延伸穿過所述中心電極的孔口，

其中所述孔口是伸長通道，所述伸長通道在所述中心電極的平面中延伸并且包括連接以形成在所述中心電極中的連續通道的多個平行通道區段和至少一個非平行的曲線通道區段。

11.根據權利要求10所述的系統，其中所述第二端蓋電極定位成靠近所述離子檢測器，所述系統還包括額外的帶電粒子屏蔽元件，以控制電離和離子排出位置。

12.根據權利要求11所述的系統，其中所述屏蔽元件定位成阻止從曲線通道區段排出的帶電粒子。

13.根據權利要求12所述的系統，其中所述屏蔽元件定位成使得從所述多個平行通道區段排出的帶電粒子不被所述屏蔽元件阻止。

14.根據權利要求13所述的系統，其中所述多個平行通道區段包括多個非曲線通道區段。

15.根據權利要求13所述的系統，其中所述多個平行通道區段包括多個曲線通道區段。

16.根據權利要求14所述的系統，其中所述多個非曲線通道區段中的每個具有寬度和在與所述寬度正交的方向上測量的長度，其中每個非曲線通道區段的長度對寬度的比值是大于1.5。