[發(fā)明專利]一種分析氧化鋅避雷器中電阻閥片性能的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810779985.0 | 申請日： | 2018-07-16 |
| 公開（公告）號： | CN108845214B | 公開（公告）日： | 2021-06-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李亞莎;黃太煥;柯顥云;謝云龍;章小彬 | 申請（專利權(quán)）人： | 三峽大學 |
| 主分類號： | G01R31/00 | 分類號： | G01R31/00;G06F30/20 |
| 代理公司： | 宜昌市三峽專利事務(wù)所 42103 | 代理人： | 成鋼 |
| 地址： | 443002 *** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 分析 氧化鋅 避雷器 電阻 性能 方法 | ||
1.一種分析氧化鋅避雷器中電阻閥片性能的方法，其特征在于，包含以下步驟：
步驟1：利用計算機構(gòu)造ZnO電阻閥片兩相晶界結(jié)構(gòu)；
步驟1.1：構(gòu)造ZnO/Bi2O3的兩相晶界結(jié)構(gòu)；
步驟1.2：對晶胞進行結(jié)構(gòu)優(yōu)化；
步驟1.3：確定交換和相關(guān)勢，自洽求解Kohn-Sham方程；
步驟2：對建立的晶界結(jié)構(gòu)進行弛豫計算，對比弛豫前后晶界結(jié)構(gòu)，分析原子位移；
步驟3：對弛豫后的晶界結(jié)構(gòu)進行二次差分電荷密度分析，分析層片間電荷轉(zhuǎn)移情況；
步驟4：進行原子的電子布居分析；
步驟4.1：分析原子軌道電子占據(jù)情況；
步驟4.2：分析原子帶電情況；
步驟4.3：統(tǒng)計晶體層片帶電量；
步驟5：進行晶界結(jié)構(gòu)電子勢能分析，比較兩晶體層片電子勢能，分析得出晶界結(jié)構(gòu)的內(nèi)建電場；
步驟6：進行界面原子分波態(tài)密度分析，分析原子間成鍵情況；
步驟7：根據(jù)晶界處Zn原子、O原子、Bi原子的相互作用情況，得出提高電阻閥片界面強度的措施；分析電阻閥片中內(nèi)建電場、層片間的電荷轉(zhuǎn)移量與避雷器伏安特性的關(guān)系，得出改進避雷器性能的措施。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分析氧化鋅避雷器中電阻閥片性能的方法，其特征在于，所述兩相晶界結(jié)構(gòu)為ZnO(002)/β-Bi2O3(210)位向關(guān)系的兩相晶界結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分析氧化鋅避雷器中電阻閥片性能的方法，其特征在于，所述晶胞的參數(shù)為ZnO晶胞棱長a=0.32815nm，棱長b=0.32815nm，棱長c=0.52950nm；β-Bi2O3晶胞棱長a=0.77169nm，棱長b=0.77169nm，棱長c=0.5580nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分析氧化鋅避雷器中電阻閥片性能的方法，其特征在于，所述Kohn-Sham方程的迭代求解的收斂條件為公差偏移小于0.00005nm，應(yīng)力偏差小于0.02GPA。
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