[發明專利]用于偵測感測線電容的偵測電路及感測線電容偵測方法與OLED顯示裝置

在審

• 申請號: 201810779715.X
• 申請日: 2018-07-16
• 公開（公告）號: CN109064956A
• 公開（公告）日: 2018-12-21
• 發明（設計）人: 鄺繼木;解紅軍
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: G09G3/00
• 分類號: G09G3/00;G09G3/3208
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂;鞠驍

1.一種用于偵測感測線電容的偵測電路，所述感測線(10)與接地端之間形成寄生電容(Cp)；其特征在于，包括與感測線(10)電性連接的偵測模塊(20)；

所述偵測模塊(20)包括第一開關(K1)、第二開關(K2)、第三開關(K3)、運算放大器(21)、存儲電容(Ct)及處理單元(22)；所述第一開關(K1)的控制端接入第一開關信號(SW1)，第一端電性連接第一節點(a)并電性連接所述感測線(10)，第二端電性連接運算放大器(21)的輸出端；所述第二開關(K2)的控制端接入第二開關信號(SW2)，第一端電性連接運算放大器(21)的同相輸入端，第二端接入第一參考電壓(V1)；所述第三開關(K3)的控制端接入第三開關信號(SW3)，第一端電性連接運算放大器(21)的同相輸入端，第二端接入第二參考電壓(V2)；所述存儲電容(Ct)的第一端電性連接第一節點(a)，第二端電性連接運算放大器(21)的輸出端；所述運算放大器(21)的反相輸入端電性連接第一節點(a)；所述處理單元(22)電性連接運算放大器(21)的輸出端，用于根據運算放大器(21)輸出端的電壓計算所述感測線(10)與接地端之間的寄生電容(Cp)的電容值。

2.如權利要求1所述的用于偵測感測線電容的偵測電路，其特征在于，所述用于偵測感測線電容的偵測電路的工作狀態包括：第一階段(t1)及第二階段(t2)；

在第一階段(t1)，所述第一開關信號(SW1)控制第一開關(K1)導通，所述第二開關信號(SW2)控制第二開關(K2)導通，所述第三開關信號(SW3)控制第三開關(K3)斷開，使第一節點(a)的電壓充電至第一參考電壓(V1)；

在第二階段(t2)，所述第一開關信號(SW1)控制第一開關(K1)斷開，所述第二開關信號(SW2)控制第二開關(K2)斷開，所述第三開關信號(SW3)控制第三開關(K3)導通，使第一節點(a)的電壓由第一參考電壓(V1)變化至第二參考電壓(V2)，而后所述處理單元(22)根據運算放大器(21)輸出端的電壓及預設的寄生電容值計算公式計算所述感測線(10)與接地端之間的寄生電容(Cp)的電容值。

3.如權利要求2所述的用于偵測感測線電容的偵測電路，其特征在于，所述第二參考電壓(V2)小于第一參考電壓(V1)。

4.如權利要求3所述的用于偵測感測線電容的偵測電路，其特征在于，所述預設的寄生電容計算公式為：

Cp＝(V2-Vout)×Ct/(V1-V2)；

其中，Cp為感測線(10)與接地端之間的寄生電容(Cp)的電容值，Ct為存儲電容(Ct)的電容值，V1為第一參考電壓(V1)，V2為第二參考電壓(V1)，Vout為在第二階段中運算放大器(21)輸出端的電壓。

5.如權利要求2所述的用于偵測感測線電容的偵測電路，其特征在于，在第一階段(t1)，所述第一開關信號(SW1)為高電位；所述第二開關信號(SW2)為高電位；所述第三開關信號(SW3)為低電位；

在第二階段(t2)，所述第一開關信號(SW1)為低電位；所述第二開關信號(SW2)為低電位；所述第三開關信號(SW3)為高電位。

6.如權利要求1所述的用于偵測感測線電容的偵測電路，其特征在于，所述處理單元(22)為模數轉換器(ADC)。

7.如權利要求1所述的用于偵測感測線電容的偵測電路，其特征在于，所述偵測模塊(20)設于一感測芯片(30)上。