[發明專利]超疏水耐腐蝕SiO2-Ni納米晶-非晶碳復合薄膜的制備方法有效
| 申請號： | 201810779140.1 | 申請日： | 2018-07-16 |
| 公開（公告）號： | CN108866604B | 公開（公告）日： | 2019-11-05 |
| 發明（設計）人： | 周升國;顏青青;馬利秋 | 申請（專利權）人： | 江西理工大學 |
| 主分類號： | C25D15/00 | 分類號： | C25D15/00;C25D5/00 |
| 代理公司： | 西安知誠思邁知識產權代理事務所(普通合伙) 61237 | 代理人： | 麥春明 |
| 地址： | 341000 江*** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 復合薄膜 超疏水 非晶碳 納米晶 耐腐蝕 制備 預處理 薄膜沉積 實驗準備 碳基薄膜 電解液 硅片 配置 應用 | ||
1.超疏水耐腐蝕SiO2-Ni納米晶-非晶碳復合薄膜的制備方法，其特征在于，具體按照以下步驟進行：
步驟一、硅片預處理：將硅片用超聲波在分析純甲醇中清洗5分鐘，然后浸泡在質量分數為10％的HF的水溶液中5分鐘，以去除原生氧化層，最后，再用分析純甲醇超聲清洗硅片5分鐘；
步驟二、配置電解液：電解液溶劑為分析純甲醇，SiO2納米顆粒在電解液中的濃度為0.006mg/mL，乙酰丙酮鎳(Ⅱ)在電解液中的濃度為0.08mg/mL；
步驟三、實驗準備：將處理好的硅片固定在陰極石墨電極上，鉑片固定在陽極石墨電極上，然后接通恒溫水浴，電解溫度控制為55℃；
步驟四、薄膜沉積：沉積過程中通入N2，沉積時間為8h；接通電源并調節電壓為1200V，電解液開始電解并產生大量氣泡，在電場作用下，Ni2+、CH3+向陰極移動，電解液中的二氧化硅在兩極高電場作用下，被CH3+和Ni2+帶動沉積在硅片上，制備得到超疏水耐腐蝕SiO2-Ni納米晶-非晶碳復合薄膜；
所述步驟二中SiO2納米顆粒的粒徑為325目；
所述步驟二中采用聲波降解法使得乙酰丙酮鎳(Ⅱ)溶解在電解液中溶解10分鐘；
所述步驟三中保持電極之間的距離為8mm，電極下端與電解液液面間的距離為10-15mm；
所述步驟四中超疏水耐腐蝕SiO2-Ni納米晶-非晶碳復合薄膜厚度為500nm。
2.根據權利要求1所述的超疏水耐腐蝕SiO2-Ni納米晶-非晶碳復合薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟一中硅片長30mm、寬15mm、厚0.7mm。
3.根據權利要求1所述的超疏水耐腐蝕SiO2-Ni納米晶-非晶碳復合薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟三中鉑片與硅片尺寸相同。
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