[發明專利]一種高性能薄膜晶體管的近室溫制備工藝及應用有效
| 申請號： | 201810778756.7 | 申請日： | 2018-07-16 |
| 公開（公告）號： | CN109148594B | 公開（公告）日： | 2021-03-30 |
| 發明（設計）人： | 丁士進;邵龑;劉文軍;張衛 | 申請（專利權）人： | 復旦大學 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L21/285;H01L21/34 |
| 代理公司： | 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 周乃鑫 |
| 地址： | 200433 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 性能 薄膜晶體管 室溫 制備 工藝 應用 | ||
1.一種高性能薄膜晶體管的近室溫制備工藝，其特征在于，其包含以下步驟：
步驟1，將導電襯底放入原子層沉積反應腔中，然后進行抽真空；
步驟2，在20～40℃下，沉積生長Al2O3作為柵介質層；其中，沉積生長Al2O3所使用的氧化劑為氧氣等離子體；采用原子層沉積技術生長Al2O3，其一個循環周期由0.1s～2s三甲基鋁脈沖，10～30s氮氣吹掃，0.1～10s氧氣等離子體脈沖，10～30s氮氣吹掃構成；
步驟3，將步驟2所得器件放入磁控濺射沉積腔中，然后抽真空；
步驟4，在20～40℃下，生長非晶IGZO溝道層；
步驟5，對步驟4所得的器件進行紫外曝光、刻蝕，形成溝道圖形；
步驟6，對步驟5所得的器件進行第二次光刻，蒸鍍源漏電極，去光刻膠，無需進行退火處理，得到底柵型高性能薄膜晶體管。
2.如權利要求1所述的高性能薄膜晶體管的近室溫制備工藝，其特征在于，在步驟1中，導電襯底選擇重摻雜的Si、AZO/玻璃、ITO/玻璃、AZO/塑料、ITO/塑料中的任意一種。
3.如權利要求1所述的高性能薄膜晶體管的近室溫制備工藝，其特征在于，步驟2中，所述柵介質層的厚度為20～150nm。
4.如權利要求1所述的高性能薄膜晶體管的近室溫制備工藝，其特征在于，步驟4中，所述溝道層的厚度為30～80nm。
5.如權利要求1所述的高性能薄膜晶體管的近室溫制備工藝，其特征在于，步驟5中，生長的源漏電極是Cr/Au、Ti/Au、Mo、AZO、ITO中的任意一種。
6.根據權利要求1-5中任意一項所述的高性能薄膜晶體管的近室溫制備工藝的應用，其特征在于，該工藝提供的高性能薄膜晶體管用于光學探測領域。
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