[發(fā)明專利]一種含硅尖晶石基質(zhì)近紅外長余輝發(fā)光材料及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810778552.3
• 申請日: 2018-07-16
• 公開（公告）號: CN108998017A
• 公開（公告）日: 2018-12-14
• 發(fā)明（設計）人: 潘再法;嚴麗萍;王鍇;邵康;王瑞平;聞瑩婷
• 申請（專利權）人: 浙江工業(yè)大學
• 主分類號: C09K11/66
• 分類號: C09K11/66
• 代理公司: 杭州浙科專利事務所(普通合伙) 33213
• 代理人: 周紅芳

1.一種含硅尖晶石基質(zhì)近紅外長余輝發(fā)光材料，其特征在于所述發(fā)光材料的化學表達式為：

Zn_2+aGa_a(2-x)SiO_4+4a:xCr³⁺

式中：0＜a≤20，0.001≤x≤0.1。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種含硅尖晶石基質(zhì)近紅外長余輝發(fā)光材料，其特征在于0.1≤a≤10，0.002≤x≤0.03。

3.根據(jù)權利要求1所述的一種含硅尖晶石基質(zhì)近紅外長余輝發(fā)光材料，其特征在于2≤a≤7，0.003≤x≤0.015；優(yōu)選為a＝5或6，0.005≤x≤0.01。

4.一種根據(jù)權利要求1所述的含硅尖晶石基質(zhì)近紅外長余輝發(fā)光材料的制備方法，其特征在于以含鋅化合物、含鎵化合物、含硅化合物、含鉻化合物為原料，采用高溫固相法制得含硅尖晶石基質(zhì)近紅外長余輝發(fā)光材料。

5.根據(jù)權利要求4所述的含硅尖晶石基質(zhì)近紅外長余輝發(fā)光材料的方法，其特征在于包括以下步驟：

1)按化學表達式Zn_2+aGa_a(2-x)SiO_4+4a:xCr³⁺中的化學計量比，分別稱取相應質(zhì)量的原料含鋅化合物、含鎵化合物、含硅化合物、含鉻化合物，將固體粉末原料研磨混勻得前驅(qū)體；

2)將前驅(qū)體放至坩堝中，在空氣或氮氣氣氛下，在高溫爐中升溫至1100℃-1400℃溫度下焙燒1-3次，所得焙燒產(chǎn)物經(jīng)破碎、研磨得含硅尖晶石基質(zhì)近紅外長余輝發(fā)光材料。

6.根據(jù)權利要求5所述的含硅尖晶石基質(zhì)近紅外長余輝發(fā)光材料的方法，其特征在于研磨在瑪瑙或剛玉研缽中進行，研磨時間為10-30min。

7.根據(jù)權利要求5所述的含硅尖晶石基質(zhì)近紅外長余輝發(fā)光材料的方法，其特征在于原料為各元素的氧化物，優(yōu)選為氧化鋅，氧化鎵，氧化硅，氧化鉻。

8.根據(jù)權利要求5所述的含硅尖晶石基質(zhì)近紅外長余輝發(fā)光材料的方法，其特征在于步驟2)中每次焙燒時間為3-24小時，升溫速率為5℃/min～15℃/min。