[發明專利]一種MEMS兼容的多傳感器三維集成方法在審
| 申請號： | 201810774579.5 | 申請日： | 2018-07-13 |
| 公開（公告）號： | CN108910819A | 公開（公告）日： | 2018-11-30 |
| 發明（設計）人： | 詹望 | 申請（專利權）人： | 河南匯納科技有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 鄭州裕晟知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 41142 | 代理人： | 徐志威 |
| 地址： | 450000 河南省鄭州市航空港區四港聯動大道與省*** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 刻蝕 多傳感器 三維集成 兼容 鈍化層薄膜 濺射電極 工藝流程 襯底層 頂層硅 埋氧層 器件層 正反面 沉積 制備 離子 協同 制造 | ||
1.一種MEMS兼容的多傳感器三維集成方法，其特征在于，其具體制備過程如下：
S1、將CMOS信號處理電路與SOI圓片上的MEMS傳感器的電子器件互連；
S2、在SOI圓片正面臨時鍵合玻璃輔助圓片，從SOI背面采用機械研磨和濕法刻蝕的方法取出SOI的襯底層，同時利用DRIE深刻蝕穿透SOI器件層的通孔，電鍍銅形成TSV；
S3、將SOI器件層與CMOS信號處理電路永久鍵合；
S4、去除正面臨時鍵合的玻璃輔助圓片，將SOI的器件層轉移至CMOS電路的表面；
S5、在SOI器件層上方制造濕度傳感器的聚酰亞胺介質層和上層的Pt電極，最后利用DRIE刻蝕SOI器件層，形成電場傳感器、加速度傳感器和溫度傳感器的結構；
S6、利用RIE刻蝕，去除MEMS傳感器下方的鍵合高分子層形成MEMS結構懸空。
2.根據權利要求1所述的MEMS兼容的多傳感器三維集成方法，其特征在于：所述步驟S3的具體方法為，利用金屬共晶鍵合和高分子鍵合的低溫鍵合法將SOI器件層與CMOS信號處理電路永久鍵合。
3.根據權利要求2所述的MEMS兼容的多傳感器三維集成方法，其特征在于：所述金屬共晶鍵合采用Cu-Sn金屬共晶鍵合。
4.根據權利要求3所述的MEMS兼容的多傳感器三維集成方法，其特征在于：所述共晶鍵合的溫度為227℃，生成物Sn占總物質質量比為61％-100％二元合金Cu3Sn。
5.根據權利要求3所述的MEMS兼容的多傳感器三維集成方法，其特征在于：所述高分子鍵合采用BCB鍵合法，鍵合唯獨為230-250℃。
6.根據權利要求1所述的MEMS兼容的多傳感器三維集成方法，其特征在于：所述Cu-Sn金屬共晶鍵合的Cu凸點高度與BCB鍵合的涂點高度相同。
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