[發明專利]一種高透光ZAO導電薄膜的制備方法

在審

• 申請號: 201810773755.3
• 申請日: 2018-07-15
• 公開（公告）號: CN108950501A
• 公開（公告）日: 2018-12-07
• 發明（設計）人: 王秀宇;傅惠;朱宣同;李亨;夏夢真
• 申請（專利權）人: 天津大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58
• 代理公司: 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201
• 代理人: 張宏祥

1.一種高透光ZAO導電薄膜的制備方法，具有如下步驟：

(1)ZAO靶材制備

采用ZnO和Al₂O₃為原料，在ZnO的基礎上，外加質量百分比含量為2％的Al₂O₃，按照常規制備工藝進行制備：配比稱料→球磨混料→加粘合劑造粒→干壓成型→冷等靜壓→坯體燒結→機械打磨。

(2)采用射頻磁控濺射法制備ZAO透明導電薄膜

在射頻磁控濺射設備中，采用步驟(1)制備的ZAO靶材作為陰極濺射靶材，放入磁控濺射腔體；以玻璃為襯底基片，使用無水乙醇，利用超聲波清洗襯底25分鐘，并使用紅外干燥設備進行干燥處理后放入磁控濺射腔體，靶材與基片的距離為40mm；將本體真空度抽至2～4×10^-4Pa，緩慢充入氬氣作為濺射氣體；具體參數為：濺射過程中氬氣的壓強為0.4～0.9pa，濺射功率為80～120W，濺射時間為45～60min，加熱基片至80～120℃；

ZAO薄膜沉積后，在200～400℃下退火2～3h。

2.根據權利要求1所述的一種高透光ZAO導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)原料的純度均大于99％。

3.根據權利要求1所述的一種高透光ZAO導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)的氬氣純度在99％以上。