[發(fā)明專利]VPD機(jī)臺中親水性硅片表面液滴的收集裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810768387.3 | 申請日： | 2018-07-13 |
| 公開（公告）號： | CN108871900A | 公開（公告）日： | 2018-11-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 宋健;周潔;姜舜 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | G01N1/28 | 分類號： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人： | 欒美潔 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 硅片表面 通氣單元 收集管 液滴 親水性 下端 氮?dú)?/a> 機(jī)臺 收集裝置 回收液 注射泵 掃描分析 外側(cè)設(shè)置 機(jī)械手 出氣口 吸液口 液滴狀 聚攏 攤開 吸住 環(huán)繞 引入 | ||
1.一種VPD機(jī)臺中親水性硅片表面液滴的收集裝置，所述裝置包括注射泵，且在一機(jī)械手的帶動下吸住液滴均勻掃過硅片表面，其特征在于，還包括外通氣單元和內(nèi)收集管，所述內(nèi)收集管的一端與注射泵相連接，另一端用于吸取親水性硅片表面的液滴，所述外通氣單元的下端在所述內(nèi)收集管的下端的下方，且外通氣單元將液滴聚攏氣體傾斜地導(dǎo)入。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VPD機(jī)臺中親水性硅片表面液滴的收集裝置，其特征在于，所述內(nèi)收集管與所述硅片表面相垂直。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的VPD機(jī)臺中親水性硅片表面液滴的收集裝置，其特征在于，所述外通氣單元為多根傾斜的導(dǎo)氣管，所述導(dǎo)氣管呈360°均勻分布在內(nèi)收集管的外側(cè)，且導(dǎo)氣管的下端與內(nèi)收集管之間的距離小于導(dǎo)氣管的上端與內(nèi)收集管之間的距離。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的VPD機(jī)臺中親水性硅片表面液滴的收集裝置，其特征在于，所述導(dǎo)氣管的數(shù)量為四根、六根或八根，且所述導(dǎo)氣管以內(nèi)收集管為中心呈360°對稱分布在內(nèi)收集管的外側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的VPD機(jī)臺中親水性硅片表面液滴的收集裝置，其特征在于，所述導(dǎo)氣管的出氣口與所述硅片的表面之間留有間隙，且所述導(dǎo)氣管的出氣口比所述內(nèi)收集管的吸液口低0.35mm～0.45mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的VPD機(jī)臺中親水性硅片表面液滴的收集裝置，其特征在于，所述導(dǎo)氣管呈圓柱狀，且導(dǎo)氣管的中心軸線與硅片的表面所夾的銳角為30°～60°。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的VPD機(jī)臺中親水性硅片表面液滴的收集裝置，其特征在于，所述外通氣單元為喇叭形的通氣腔，所述通氣腔以內(nèi)收集管為中心且位于內(nèi)收集管的外側(cè)，所述通氣腔的進(jìn)氣口大于出氣口。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的VPD機(jī)臺中親水性硅片表面液滴的收集裝置，其特征在于，所述通氣腔的出氣口比所述內(nèi)收集管的吸液口低0.35mm～0.45mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的VPD機(jī)臺中親水性硅片表面液滴的收集裝置，其特征在于，所述通氣腔由一外圓臺管和一內(nèi)圓臺管圍成，所述外圓臺管和所述內(nèi)圓臺管均以內(nèi)收集管為中心，且所述外圓臺管的母線與所述硅片的表面所夾的銳角為30°～60°。
10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的VPD機(jī)臺中親水性硅片表面液滴的收集裝置，其特征在于，所述通氣腔由一外圓臺管和所述內(nèi)收集管圍成，所述外圓臺管以內(nèi)收集管為中心，且所述外圓臺管的母線與所述硅片的表面所夾的銳角為30°～60°。
11.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的VPD機(jī)臺中親水性硅片表面液滴的收集裝置，其特征在于，所述通氣腔由一外圓臺管和一內(nèi)圓柱管圍成，所述外圓臺管和所述內(nèi)圓柱管均以內(nèi)收集管為中心，且所述外圓臺管的母線與所述硅片的表面所夾的銳角為30°～60°。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VPD機(jī)臺中親水性硅片表面液滴的收集裝置，其特征在于，所述液滴聚攏氣體為氮?dú)饣蚨栊詺怏w。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海華力微電子有限公司，未經(jīng)上海華力微電子有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810768387.3/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
