[發明專利]包括晶片過度移位指示圖案的半導體封裝

有效

• 申請號: 201810768297.4
• 申請日: 2018-07-13
• 公開（公告）號: CN109768016B
• 公開（公告）日: 2023-06-06
• 發明（設計）人: 李碩源;閔復奎
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L23/13
• 分類號: H01L23/13
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮

1.一種半導體封裝，該半導體封裝包括：

封裝基板，該封裝基板包括晶片附接區域；

半導體晶片，該半導體晶片附接到所述晶片附接區域；以及

晶片過度移位指示圖案，該晶片過度移位指示圖案設置在所述封裝基板上或所述封裝基板中并且與所述晶片附接區域分隔開，

其中，使用所述晶片過度移位指示圖案作為用于獲得所述半導體晶片的移位距離的參考圖案，并且

其中，所述晶片過度移位指示圖案被設置成使得當所述半導體晶片相對于所述晶片附接區域移位比允許范圍大的距離時，所述晶片過度移位指示圖案的至少一部分被所述半導體晶片覆蓋。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中，所述晶片過度移位指示圖案包括與所述晶片附接區域的側面處的線平行的線形圖案。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中，所述晶片過度移位指示圖案包括彼此分隔開并且彼此平行的兩個線形圖案。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中，所述晶片過度移位指示圖案是在所述封裝基板的表面處被雕刻的凹槽形圖案。

5.根據權利要求4所述的半導體封裝，其中，所述凹槽形圖案形成在所述封裝基板中包括的阻焊層中。

6.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中，所述晶片過度移位指示圖案從所述封裝基板的表面突出。

7.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中，所述晶片過度移位指示圖案是設置在所述封裝基板的表面上的墨水印刷圖案。

8.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中，所述晶片過度移位指示圖案位于與形成在所述封裝基板中的互連圖案相同的水平處。

9.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中，所述晶片過度移位指示圖案包括導電層。

10.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中，所述晶片過度移位指示圖案設置在所述封裝基板的側表面和所述晶片附接區域之間。

11.根據權利要求10所述的半導體封裝，其中，所述晶片過度移位指示圖案是與所述封裝基板的側表面平行的線形圖案。

12.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中，所述晶片過度移位指示圖案包括：

第一晶片過度移位指示圖案，該第一晶片過度移位指示圖案與所述封裝基板的側表面平行地延伸；以及

第二晶片過度移位指示圖案，該第二晶片過度移位指示圖案設置在所述第一晶片過度移位指示圖案和與所述第一晶片過度移位指示圖案平行的所述晶片附接區域之間，

其中，所述第二晶片過度移位指示圖案和所述晶片附接區域之間的距離等于所述第一晶片過度移位指示圖案和所述第二晶片過度移位指示圖案之間的距離。

13.一種半導體封裝，該半導體封裝包括：

封裝基板，該封裝基板包括晶片附接區域；

第一半導體晶片，該第一半導體晶片附接到所述晶片附接區域；

第二半導體晶片，該第二半導體晶片層疊在所述第一半導體晶片上并且與所述第一半導體晶片存在偏移；以及

晶片過度移位指示圖案，該晶片過度移位指示圖案設置在所述封裝基板上或所述封裝基板中并且與所述晶片附接區域分隔開，

其中，使用所述晶片過度移位指示圖案作為用于獲得所述第二半導體晶片的移位距離的參考圖案，并且

其中，所述晶片過度移位指示圖案被設置成使得當所述第二半導體晶片相對于所述晶片附接區域移位比允許范圍大的距離時，所述晶片過度移位指示圖案的至少一部分被所述第二半導體晶片覆蓋。

14.根據權利要求13所述的半導體封裝，其中，所述晶片過度移位指示圖案包括與所述晶片附接區域的側面處的線平行的線形圖案。