[發(fā)明專利]基于硫化鉛量子點薄膜的光纖脈沖激光器及其制作方法

在審

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• 申請日: 2018-07-13
• 公開（公告）號: CN109119876A
• 公開（公告）日: 2019-01-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孫曉嵐;牟成博;趙巍
• 申請（專利權(quán)）人: 上海大學
• 主分類號: H01S3/098
• 分類號: H01S3/098;H01S3/067
• 代理公司: 上海上大專利事務所(普通合伙) 31205
• 代理人: 陸聰明

1.一種基于硫化鉛量子點薄膜的光纖脈沖激光器，其特征在于，由一個泵浦光源（1）、一個波分復用器（2）、一段摻鉺光纖（3）、一個光纖耦合器（4）、一個硫化鉛量子點薄膜可飽和吸收體（5）、一個偏振控制器（6）和一個隔離器（7）以及單模光纖（8）構(gòu)成；所述泵浦光源（1）與波分復用器（2）的泵浦端連接將泵浦光注入，所述波分復用器（2）的公共端與摻鉺光纖（3）的一端連接，摻鉺光纖（3）的另一端與光纖耦合器（4）的輸入端連接，所述摻鉺光纖（3）提供增益；所述光纖耦合器（4）的一個輸出端輸出信號光，而另一個輸出端與硫化鉛量子點薄膜可飽和吸收體（5）一端連接，硫化鉛量子點薄膜可飽和吸收體（5）的另一端與偏振控制器（6）連接；偏振控制器（6）的另一端與隔離器（7）連接，隔離器（7）的另一端與波分復用器（2）的信號端相連，各部分由單模光纖（8）相連構(gòu)成環(huán)形腔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于硫化鉛量子點薄膜的光纖脈沖激光器，其特征在于，所述波分復用器（2）為1550nm/980nm波分復用器。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于硫化鉛量子點薄膜的光纖脈沖激光器，其特征在于，所述光纖耦合器（4）耦合比為10:90，光纖耦合器（4）的10%輸出端輸出信號光，而90%輸出端與硫化鉛量子點薄膜可飽和吸收體（5）一端連接。

4.一種基于硫化鉛量子點薄膜的光纖脈沖激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

首先，采用改進的有機金屬法制備單分散性的硫化鉛量子點并提純；

其次，制備硫化鉛量子點薄膜可飽和吸收體（5）；

最后，將硫化鉛量子點薄膜可飽和吸收體（5）接入到通過單模光纖（8）相連構(gòu)成的環(huán)形腔光纖脈沖激光器中。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于硫化鉛量子點薄膜的光纖脈沖激光器的制作方法，其特征在于，所述硫化鉛量子點薄膜可飽和吸收體（5）的制備方法包括以下步驟：

取一定濃度的硫化鉛量子點甲苯溶液（501）和一定濃度的聚苯乙烯甲苯溶液（502）超聲均勻分散，然后把兩溶液混合得到硫化鉛-聚苯乙烯溶液（503），繼續(xù)超聲使均勻分散；將所述的硫化鉛-聚苯乙烯溶液（503）通過針管定量滴在蓋玻片（504）上在旋涂儀上旋涂成膜（505），隨后將其放在真空干燥箱中35℃干燥1h，用鑷子取下后，剪下一小片薄膜夾在兩個同類型的光纖連接頭的連接處，制得硫化鉛量子點薄膜可飽和吸收體（5）。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于硫化鉛量子點薄膜的光纖脈沖激光器的制作方法，其特征在于，所述硫化鉛量子點薄膜可飽和吸收體（5）吸收峰位于1550nm處，尺寸為6nm。