[發明專利]薄膜晶體管及其制造方法、顯示基板、顯示裝置

有效

• 申請號: 201810765416.0
• 申請日: 2018-07-12
• 公開（公告）號: CN108962757B
• 公開（公告）日: 2019-12-10
• 發明（設計）人: 顧鵬飛
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/34;H01L29/786
• 代理公司: 11138 北京三高永信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 楊廣宇

1.一種薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在襯底基板上形成有源層；

對所述有源層中的預摻雜區域進行受主摻雜，所述預摻雜區域包括兩個子區域，所述兩個子區域位于所述有源層中的溝道區域的兩側，每個所述子區域的寬度與所述溝道區域的寬度相等，所述溝道區域為所述薄膜晶體管的柵極在所述有源層上的正投影所在的區域，所述溝道區域的寬度方向和每個所述子區域的寬度方向均垂直于所述兩個子區域的排布方向，所述受主摻雜是指在所述預摻雜區域中摻入能夠減少所述預摻雜區域的電子載流子，增高所述預摻雜區域的勢壘的雜質；

采用輕摻雜漏工藝，對完成所述受主摻雜的所述有源層中除所述溝道區域之外的區域進行離子摻雜。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對所述有源層中的預摻雜區域進行受主摻雜，包括：

在所述有源層上形成光刻膠圖案，所述光刻膠圖案覆蓋所述有源層中除所述預摻雜區域之外的區域；

對所述有源層中未被所述光刻膠圖案覆蓋的區域進行受主摻雜。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜晶體管為頂柵結構的晶體管；在對所述有源層中的預摻雜區域進行受主摻雜之前，所述方法還包括：在形成有所述有源層的襯底基板上依次形成柵絕緣層和所述柵極。

4.根據權利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，

每個所述子區域均與所述溝道區域鄰接。

5.根據權利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，

每個所述子區域的長度小于長度閾值，每個所述子區域的長度方向平行于所述兩個子區域的排布方向。

6.根據權利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述對所述有源層中的預摻雜區域進行受主摻雜，包括：

采用一氧化二氮、氧氣或氮氣對所述有源層中的預摻雜區域進行受主摻雜。

7.根據權利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述采用輕摻雜漏工藝，對完成所述受主摻雜的所述有源層中除所述溝道區域之外的區域進行離子摻雜，包括：

形成所述有源層的材料包括銦鎵鋅氧化物，采用輕摻雜漏工藝，通過氨氣、氬氣或者氦氣對完成所述受主摻雜的所述有源層中除所述溝道區域之外的區域進行離子摻雜；或

形成所述有源層的材料包括硅，采用輕摻雜漏工藝，通過磷對完成所述受主摻雜的所述有源層中除所述溝道區域之外的區域進行離子摻雜。

8.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，在采用輕摻雜漏工藝，對完成所述受主摻雜的所述有源層中除所述溝道區域之外的區域進行離子摻雜之后，所述方法還包括：

在所述柵極遠離所述襯底基板的一側形成層間介電層；

在所述層間介電層中形成接觸過孔；

在所述層間介電層遠離所述襯底基板的一側形成源漏極金屬，所述源漏極金屬通過所述接觸過孔與所述有源層連接。

9.一種薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管包括：

設置在襯底基板上的有源層；

所述有源層采用輕摻雜漏工藝進行了離子摻雜，且所述有源層中還包括預摻雜區域，所述預摻雜區域在所述離子摻雜之前經過受主摻雜，所述受主摻雜是指在所述預摻雜區域中摻入能夠減少所述預摻雜區域的電子載流子，增高所述預摻雜區域的勢壘的雜質；

所述預摻雜區域包括兩個子區域，所述兩個子區域位于所述有源層中的溝道區域的兩側，每個所述子區域的寬度與所述溝道區域的寬度相等，所述溝道區域為所述薄膜晶體管的柵極在所述有源層上的正投影所在的區域，所述溝道區域的寬度方向和每個所述子區域的寬度方向均垂直于所述兩個子區域的排布方向。

10.根據權利要求9所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管為頂柵結構的晶體管；所述薄膜晶體管還包括：

依次設置在所述有源層遠離所述襯底基板一側的柵絕緣層和所述柵極。