[發(fā)明專利]太陽能電池片的燒結方法、降低光致衰減方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810763531.4
• 申請日: 2018-07-12
• 公開（公告）號: CN110718605B
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發(fā)明（設計）人: 陳曦;熊光涌;吳華德
• 申請（專利權）人: 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;阿特斯陽光電力集團股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/028
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 鞏克棟

1.一種降低太陽能電池片光致衰減的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

(1)按照燒結方法對待燒結太陽能電池片進行燒結處理：

所述燒結包括500℃以上的升溫過程和降至500℃的降溫過程；所 述升溫過程的平均升溫速率和降溫過程的平均降溫速率之和為60～80℃/s，所述平均升溫速率為15～35℃/s，所述平均降溫速率為40～65℃/s；

所述燒結待燒結太陽能電池片的最高溫度為T，所述最高溫度T滿足710℃≤T≤850℃；

所述燒結方法依次包括烘干步驟、升溫燒結步驟、降溫步驟，所述待燒結太陽能電池片處于500℃以上的時間占升溫燒結步驟和降溫步驟總時長的8～15％，所述烘干待燒結太陽能電池片的溫度為200～400℃；

所述太陽能電池片包括多晶硅片或鑄錠單晶硅片；

所述方法在燒結爐中進行，所述燒結爐具有n個可控溫的溫區(qū)，所述硅片在所述燒結爐中順序經(jīng)過n個溫區(qū)，n為6、7或8；第m個溫區(qū)的溫度設置為900～1200℃，所述m滿足n-2≤m≤n-1；所述mn，所述降溫步驟在第m+1個溫區(qū)進行，所述第m+1個溫區(qū)的溫度設置為400～700℃；所述m＝n-1，所述燒結帶速為6800～7200mm/min，所述m＜n-1，所述燒結帶速為6500～6800mm/min；

所述太陽能電池片中的硅片由硅錠A區(qū)的硅棒切片得到，升溫過程的平均升溫速率記為X₁和降溫過程的平均降溫速率記為Y₁；或者所述太陽能電池片中的硅片由硅錠B區(qū)的硅棒切片得到，升溫過程的平均升溫速率記為X₂和降溫過程的平均降溫速率記為Y₂；或者所述太陽能電池片中的硅片由選自硅錠C區(qū)的硅棒切片得到，升溫過程的平均升溫速率記為X₃和降溫過程的平均降溫速率記為Y₃；其中，X₁+Y₁＜X₂+Y₂＜X₃+Y₃；

(2)對燒結處理后的太陽能電池片進行光致衰減的抑制處理，得到太陽能電池片；

當所述太陽能電池片選自硅錠C區(qū)的硅片時，所述太陽能電池片的衰減值≤1.8％；當所述太陽能電池片選自硅錠B區(qū)的硅片時，所述太陽能電池片的衰減值為1.5％～2.1％；當所述太陽能電池片選自硅錠A區(qū)的硅片時，所述太陽能電池片的衰減值為1.8％～2.3％。

2.如權利要求1所述的降低太陽能電池片光致衰減的方法，其特征在于，X₁＜X₂＜X₃。

3.如權利要求1所述的降低太陽能電池片光致衰減的方法，其特征在于，Y₁＜Y₂＜Y₃。

4.如權利要求1所述的降低太陽能電池片光致衰減的方法，其特征在于，所述太陽能電池片中的硅片選自硅錠A區(qū)、B區(qū)或C區(qū)硅棒的中間區(qū)域，升溫過程的平均升溫速率記為X’₁和降溫過程的平均降溫速率記為Y’₁；或者所述太陽能電池片中的硅片選自同一硅棒的頂部區(qū)域，升溫過程的平均升溫速率記為X’₂和降溫過程的平均降溫速率記為Y’₂；或者所述太陽能電池片中的硅片選自同一硅棒的底部區(qū)域，升溫過程的平均升溫速率記為X’₃和降溫過程的平均降溫速率記為Y’₃；

其中，X’₁+Y’₁＜X’₂+Y’₂＜X’₃+Y’₃。

5.如權利要求4所述的降低太陽能電池片光致衰減的方法，其特征在于，X’₁＜X’₂＜X’₃。

6.如權利要求4所述的降低太陽能電池片光致衰減的方法，其特征在于，Y’₁＜Y’₂＜Y’₃。