[發明專利]發光器件、包括該發光器件的封裝件及其制造方法

在審

• 申請號: 201810762765.7
• 申請日: 2018-07-12
• 公開（公告）號: CN109256447A
• 公開（公告）日: 2019-01-22
• 發明（設計）人: 黃京旭;申東明
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L33/40
• 分類號: H01L33/40;H01L33/44
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 張帆;張青

1.一種發光器件，包括：

襯底；

發光結構，其形成在所述襯底上；

第一透射導電層，其形成在所述發光結構上；

第一電介質圖案層，其形成在所述第一透射導電層上，所述第一電介質圖案層包括多個開口；

第二透射導電層，其共形地形成在通過所述多個開口暴露的第一透射導電層上和所述第一電介質圖案層上；

第二電介質圖案層，其填充所述多個開口；以及

反射電極層，其形成在所述第二透射導電層和所述第二電介質圖案層上。

2.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述發光結構包括n型半導體層、有源層和p型半導體層，并且所述p型半導體層的折射率大于第一電介質圖案層的折射率和第二電介質圖案層的折射率。

3.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述第一電介質圖案層的厚度大于所述第二電介質圖案層的厚度。

4.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述第一電介質圖案層的截面具有上底比下底短的梯形形狀，并且所述第二電介質圖案層的截面具有上底比下底長的梯形形狀。

5.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述第一電介質圖案層和所述第二電介質圖案層中的至少一個包括多層結構，所述多層結構包括具有彼此不同的折射率的各材料層。

6.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述反射電極層包括銀或者銀的合金，并且所述反射電極層的頂表面和底表面分別是平坦的。

7.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述第二透射導電層的最上表面和所述第二電介質圖案層的頂表面位于相同的水平高度處。

8.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述第二透射導電層與所述反射電極層之間的接觸面積大于所述第二透射導電層與所述第一透射導電層之間的接觸面積。

9.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述第一透射導電層的厚度大于所述第二透射導電層的厚度。

10.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述第一透射導電層的厚度和所述第二透射導電層的厚度中的每一個等于或小于100nm。

11.一種發光器件封裝件，包括：

襯底；

多個發光結構，所述多個發光結構形成在所述襯底上，所述發光結構中的每一個包括第一導電半導體層、有源層和第二導電半導體層；

第一透射導電層，其形成在所述第二導電半導體層上；

第一電介質圖案層，其形成在所述第一透射導電層上，所述第一電介質圖案層包括多個開口；

第二透射導電層，其共形地形成在通過所述多個開口暴露的第一透射導電層上和所述第一電介質圖案層上；

第二電介質圖案層，其填充所述多個開口；

第一電極層和第一外部連接端子，其分別電連接到所述第一導電半導體層；

第二電極層和第二外部連接端子，其分別電連接到所述第二導電半導體層，所述第二電極層形成在所述第二透射導電層上和所述第二電介質圖案層上；以及

模塊，其用于安裝所述襯底并電連接到第一外部連接端子和所述第二外部連接端子。

12.根據權利要求11所述的發光器件封裝件，其中，所述第一導電半導體層包括n型半導體，并且所述第二導電半導體層包括p型半導體。

13.根據權利要求11所述的發光器件封裝件，其中，所述發光器件封裝件被配置用于從所述多個發光結構發射的并且以特定角度入射在所述第一電介質圖案層或所述第二電介質圖案層上的光被全反射。

14.根據權利要求11所述的發光器件封裝件，其中，所述第二透射導電層包括多個突起和多個凹陷。