[發明專利]發光器件以及使用該發光器件的顯示裝置

有效

• 申請號: 201810762162.7
• 申請日: 2018-07-12
• 公開（公告）號: CN109904303B
• 公開（公告）日: 2022-04-08
• 發明（設計）人: 金顯禹;金珍永
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L27/15
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮

1.一種包括n型半導體層和p型半導體層的發光器件，該發光器件包括：

連接到所述n型半導體層的n型電極；

連接到所述p型半導體層的p型電極；以及

設置在所述n型電極與所述p型電極之間的結構，

其中，所述結構的與所述p型電極或所述n型電極相鄰的至少一側具有倒錐形，并且

其中，像素電極被形成為連接至所述p型電極，并且公共電極被形成為連接至所述n型電極，以使得所述像素電極和所述公共電極通過所述結構而彼此分離。

2.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述結構與所述n型電極和/或所述p型電極至少部分地交疊。

3.根據權利要求2所述的發光器件，其中，所述結構的與所述n型電極或所述p型電極接觸的側表面具有倒錐形。

4.根據前述權利要求1至3中的任一項所述的發光器件，其中，所述p型電極和所述n型電極在同一個面上。

5.根據前述權利要求1至3中的任一項所述的發光器件，其中，所述結構由絕緣材料制成。

6.根據前述權利要求1至3中的任一項所述的發光器件，其中，所述結構的所述倒錐形的較小側附接到LED元件。

7.一種顯示裝置，該顯示裝置包括：

發光器件，該發光器件被設置在基板上并具有n型電極和p型電極；

像素電極，該像素電極被設置在所述基板上并連接到所述p型電極；

公共電極，該公共電極被設置在所述基板上并連接到所述n型電極；以及

結構，該結構被設置在所述n型電極與所述p型電極之間，

其中，所述結構的與所述p型電極或所述n型電極相鄰的至少一側具有倒錐形。

8.根據權利要求7所述的顯示裝置，其中，所述結構被設置為使得所述結構與所述p型電極和/或所述n型電極交疊，并且

其中，所述像素電極和/或所述公共電極在所述結構上方延伸。

9.根據權利要求8所述的顯示裝置，其中，連接到所述p型電極的所述像素電極與在所述結構上方延伸的所述像素電極斷開，并且/或者連接到所述n型電極的所述公共電極與在所述結構上方延伸的所述公共電極斷開。

10.根據前述權利要求7至9中的任一項所述的顯示裝置，其中，所述基板包括至少一個驅動元件，并且所述像素電極連接到所述驅動元件。

11.根據前述權利要求7至9中的任一項所述的顯示裝置，其中，所述結構的一個側表面使所述p型電極或所述n型電極開路。

12.根據前述權利要求7至9中的任一項所述的顯示裝置，其中，所述發光器件被設置在形成在所述基板的鈍化層中的凹陷中。

13.根據前述權利要求7至9中的任一項所述的顯示裝置，其中，粘合構件被設置在所述基板上，其中，所述粘合構件與所述發光器件的底部接觸。

14.根據前述權利要求7至9中的任一項所述的顯示裝置，其中，反射層被設置在所述發光器件的發射區域下方。

15.根據權利要求14所述的顯示裝置，其中，所述反射層由與驅動薄膜晶體管的電極相同的材料形成和/或所述反射層被設置在與所述電極相同的層上。