[發(fā)明專利]一種基于氧化鉬微米帶/氧化鎳納米材料異質(zhì)結(jié)構(gòu)的紫外/可見(jiàn)光響應(yīng)器件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810761882.1 | 申請(qǐng)日: | 2018-07-12 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109087960A | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-12-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 于乃森;陳向豐;齊巖;趙海燕;苑青;董斌 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 大連民族大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L31/032 | 分類號(hào): | H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/109;H01L31/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 大連一通專利代理事務(wù)所(普通合伙) 21233 | 代理人: | 郭麗華 |
| 地址: | 116000 遼*** | 國(guó)省代碼: | 遼寧;21 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 微米帶 氧化鉬 納米材料 生長(zhǎng) 制備 可見(jiàn)光響應(yīng) 異質(zhì)結(jié)構(gòu) 光響應(yīng) 膠固定 氧化鎳 襯底 導(dǎo)電 納米片狀結(jié)構(gòu) 低溫水溶液 可見(jiàn)光波段 浸入 鎳鹽溶液 片狀結(jié)構(gòu) 器件結(jié)構(gòu) 熱氧化法 單根 輸運(yùn) | ||
1.一種基于氧化鉬微米帶/氧化鎳納米材料異質(zhì)結(jié)構(gòu)的紫外/可見(jiàn)光響應(yīng)器件,其特征在于:其是由Si襯底,SiO2絕緣層、氧化鉬微米帶、NiO納米片狀結(jié)構(gòu)以及分別與氧化鉬微米帶和NiO納米片狀結(jié)構(gòu)接觸的Ag膠組成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于基于氧化鉬微米帶/NiO納米材料異質(zhì)結(jié)構(gòu)的紫外/可見(jiàn)光響應(yīng)器件,其特征在于:所述器件結(jié)構(gòu)自下而上依次為Si襯底、SiO2絕緣層、氧化鉬微米帶、NiO納米片狀結(jié)構(gòu)以及分別與氧化鉬微米帶和NiO納米片狀結(jié)構(gòu)接觸的Ag膠組成。
3.權(quán)利要求1的基于基于氧化鉬微米帶/NiO納米結(jié)構(gòu)的紫外/可見(jiàn)光響應(yīng)器件的制備方法,其特征在于:
①以Si片為襯底,首先采用熱氧化法生長(zhǎng)SiO2絕緣層薄膜,其厚度為300nm;
②采用氣相輸運(yùn)法生長(zhǎng)氧化鉬微米帶,稱取10克鉬酸銨(NH4)6MO7O24·4H2O放在氧化鋁坩堝,置于加熱爐中加熱,以60℃/分鐘升溫至1250℃,并保溫1小時(shí)。生長(zhǎng)中保持爐門(mén)有3-4毫米的自由空間,便于氣流輸運(yùn),最后在低溫區(qū)域收集MoO3微米帶,其長(zhǎng)度為100-200μm;
③將步驟②得到的MoO3置于顯微鏡下,用鑷子提取單根MoO3,置于步驟①中生長(zhǎng)有SiO2薄膜的Si片表面,同時(shí)一端用導(dǎo)電Ag膠固定,將所得樣品置于加熱臺(tái),在150℃條件下加熱15分鐘使Ag膠固化;
④將0.62g乙酸鎳溶于50ml乙醇,制得籽晶溶液;將表面有Ag膠固定的MoO3的Si襯底置于旋涂機(jī)上,將籽晶溶液滴于表面,靜置5分鐘按照2500轉(zhuǎn)/分轉(zhuǎn)速進(jìn)行旋涂,旋涂時(shí)間為5min,隨后將生長(zhǎng)有籽晶的襯底置于快速加熱臺(tái),在200℃條件下快速加熱15分鐘后,隨后自然冷卻到室溫;
⑤將0.85g硝酸鎳和0.70g六次甲基四胺溶于100ml水,快速攪拌均勻,制得混合溶液;
⑥將生長(zhǎng)有籽晶的有Ag膠固定的MoO3的Si襯底浸入步驟⑤混合溶液中,于90℃溫度反應(yīng)5小時(shí),反應(yīng)結(jié)束取出所得Si襯底并用水洗滌,晾干;
⑦將步驟⑥得到的樣品置于顯微鏡下,在生長(zhǎng)有NiO材料一端,用導(dǎo)電Ag膠固定,最后將所得樣品置于加熱臺(tái),在150℃條件下加熱15分鐘使Ag膠固化。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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