[發(fā)明專利]一種預充電電路及方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810760137.5
• 申請日: 2018-07-11
• 公開（公告）號: CN110718250B
• 公開（公告）日: 2021-10-01
• 發(fā)明（設計）人: 鄧鵬;王美鋒;舒清明
• 申請（專利權）人: 西安格易安創(chuàng)集成電路有限公司;北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G11C16/24;G11C29/56;G11C7/12
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產(chǎn)權代理有限公司 11319
• 代理人: 莎日娜

本發(fā)明提供了一種預充電電路及方法。應用于存儲器，所述存儲器包括檢測電路和存儲串，所述預充電電路連接所述檢測電路；所述預充電電路，用于當所述檢測電路具有過濾大電流功能時，則向所述檢測電路輸入無噪聲預充電電壓。通過本發(fā)明實施例，預充電電路向檢測電路輸入無噪聲預充電電壓，可以消除不同數(shù)據(jù)模式對低電壓電源的影響，從而減小了不同數(shù)據(jù)模式對檢測精度的影響。

技術領域

本發(fā)明涉及存儲器技術領域，尤其涉及一種預充電電路及方法。

背景技術

Nand flash是一種非易失存儲器，它通過對存儲單元進行讀寫擦操作來存儲數(shù)據(jù)，具有改寫速度快，存儲容量大等優(yōu)點，被廣泛使用到電子產(chǎn)品中，隨著存儲器的大量使用，對其性能的要求也在不斷提高。

存儲器包含多條位線(Bit Line，BL)，位線上連接多個存儲單元(Block)，存儲單元中設置有存儲串(String)。在對位線上的存儲串進行電流檢測時，采用圖1中檢測電路。在檢測前PCH信號會為電容C1進行預充電，設置SO點的電位。在檢測時，SENS信號控制晶體管M2開啟，根據(jù)存儲串的電流大小重新設置SO點的電位。檢測后，將SO點的電位保存至Latch A中得到最終檢測結果。由于在對電容C1進行充電時，不同的數(shù)據(jù)模式下，低電源電壓VSS的實際值(bounce)不同，因此SO點的電位值會有差異。在檢測String的電流時，差異仍然存在，最后將SO點的電位保存至Latch A中時，這個差異就會影響最終的檢測結果，也就是說，不同的數(shù)據(jù)模式(data pattern)會影響檢測(sensing)精度。

發(fā)明內容

本發(fā)明實施例提供一種預充電電路及方法，以解決現(xiàn)有技術中不同數(shù)據(jù)模式影響檢測精度的問題。

為了解決上述技術問題，本發(fā)明實施例提供了一種預充電電路，應用于存儲器，所述存儲器包括檢測電路和存儲串，所述預充電電路連接所述檢測電路；

所述預充電電路，用于當所述檢測電路具有過濾大電流功能時，則向所述檢測電路輸入無噪聲預充電電壓。

可選地，所述預充電電路，還用于當所述檢測電路不具有過濾大電流功能時，則向所述檢測電路輸入有噪聲預充電電壓。

可選地，所述預充電電路包括依次連接的電流產(chǎn)生模塊、鏡像模塊和電壓輸出模塊；

所述電流產(chǎn)生模塊連接無噪聲低電壓電源端，用于產(chǎn)生無噪聲電流；

所述鏡像模塊，用于將所述無噪聲電流鏡像至所述電壓輸出模塊；

所述電壓輸出模塊，用于在連接所述無噪聲低電壓電源端時，根據(jù)所述無噪聲電流向所述檢測電路輸入所述無噪聲預充電電壓；在連接有噪聲低電壓電源端時，根據(jù)所述無噪聲電流向所述檢測電路輸入有噪聲預充電電壓。

可選地，所述電流產(chǎn)生模塊包括第一放大器、第一晶體管和第一電阻；

所述第一放大器的正相輸入端連接參考電壓端，所述第一放大器的反相輸入端連接第一節(jié)點，所述第一放大器的輸出端連接所述第一晶體管的控制極；

所述第一晶體管的第一極連接所述第一節(jié)點，所述第一晶體管的第二極連接第二節(jié)點；

所述第一電阻的兩端分別連接所述第一節(jié)點和所述無噪聲低電壓電源端。

可選地，所述鏡像模塊包括第二晶體管和第三晶體管；

所述第二晶體管的控制極和第二極連接所述第二節(jié)點，所述第二晶體管的第一極連接高電壓電源端；

所述第三晶體管的控制極連接所述第二節(jié)點，所述第三晶體管的第一極連接所述高電壓電源端，所述第三晶體管的第二極連接第三節(jié)點。

可選地，所述電壓輸出模塊包括第二放大器、第二電阻；