[發(fā)明專利]一種具有隔離區(qū)域的指狀交叉背接觸太陽(yáng)電池及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810760077.7 | 申請(qǐng)日: | 2018-07-11 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108987503A | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-12-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李華;李中蘭;魯偉明;靳玉鵬 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 泰州隆基樂(lè)葉光伏科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0352 | 分類號(hào): | H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200 | 代理人: | 張弘 |
| 地址: | 225300 江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 摻雜區(qū)域 隔離區(qū)域 指狀交叉 摻雜層 電池電極 背接觸 負(fù)電極 正電極 制備 背面 背面鈍化膜 電池結(jié)構(gòu) 電池組件 工藝難度 減反射膜 漏電流 鈍化 硅基 基底 電池 表現(xiàn) | ||
1.一種具有隔離區(qū)域的指狀交叉背接觸太陽(yáng)電池,其特征在于,沿硅基底厚度方向自上而下依次包括:正面鈍化及減反射膜(2)、正面摻雜層(11)、n型硅基底(1)、背面摻雜層、背面鈍化膜(5)和電池電極;所述背面摻雜層由第一摻雜區(qū)域(3)和第二摻雜區(qū)域(4)組成,第一摻雜區(qū)域(3)和第二摻雜區(qū)域(4)呈指狀交叉排列;所述的電池電極包括正電極和負(fù)電極;
所述第一摻雜區(qū)域(3)包括第一貫穿區(qū)域(301)和第一垂直區(qū)域(302),所述第二摻雜區(qū)域(4)包括第二貫穿區(qū)域(401)和第二垂直區(qū)域(402);第一貫穿區(qū)域(301)和第二貫穿區(qū)域(401)相互平行;所述第一垂直區(qū)域(302)和第一貫穿區(qū)域(301)相互垂直并連接;所述第二垂直區(qū)域(402)和第二貫穿區(qū)域(401)相互垂直并連接;在第一貫穿區(qū)域(301)方向上,第一垂直區(qū)域(302)和第二垂直區(qū)域(402)交錯(cuò)排列;
第一摻雜區(qū)域(3)和第二摻雜區(qū)域(4)之間至少部分存在有隔離區(qū)域,將第一摻雜區(qū)域和第二摻雜區(qū)域隔開(kāi);
所述正電極包括正極細(xì)柵線(7)和正極連接電極(9),所述負(fù)電極包括負(fù)極細(xì)柵線(6)和負(fù)極連接電極(8);負(fù)極細(xì)柵線(6)與第一摻雜區(qū)域(3)的第一垂直區(qū)域(302)形成接觸;正極細(xì)柵線(7)與第二摻雜區(qū)域(4)的第二垂直區(qū)域(402)形成接觸;負(fù)極連接電極(8)設(shè)置在第一貫穿區(qū)域(301)內(nèi);正極連接電極(9)設(shè)置在第二貫穿區(qū)域(401)內(nèi);正極細(xì)柵線(7)和正極連接電極(9)連接,并通過(guò)正極連接電極(9)導(dǎo)出電流,負(fù)電極包括負(fù)極細(xì)柵線(6)和負(fù)極連接電極(8)連接,并通過(guò)負(fù)極連接電極(8)導(dǎo)出電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有隔離區(qū)域的指狀交叉背接觸太陽(yáng)電池,其特征在于,所述第二摻雜區(qū)域(4)的一個(gè)第二垂直區(qū)域(402)的寬度與相鄰第一摻雜區(qū)域(3)的一個(gè)第一垂直區(qū)域(302)的寬度之和為0.2~5mm,其中第二垂直區(qū)域(402)的寬度和第一垂直區(qū)域(302)的寬度比值為1~20。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有隔離區(qū)域的指狀交叉背接觸太陽(yáng)電池,其特征在于,所述第一摻雜區(qū)域(3)的第一貫穿區(qū)域(301)寬度為0.08~5mm;所述第二摻雜區(qū)域(4)的第二貫穿區(qū)域(401)的寬度為0.08~5mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有隔離區(qū)域的指狀交叉背接觸太陽(yáng)電池,其特征在于,所述正極細(xì)柵線(7)由銀、鋁、銅或鎳中的一種或多種組成,正極細(xì)柵線(7)的寬度為20um~200um;所述負(fù)極細(xì)柵線(6)由銀、銅和鎳中的一種或多種組成,負(fù)極細(xì)柵線(6)的寬度為20um~200um。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有隔離區(qū)域的指狀交叉背接觸太陽(yáng)電池,其特征在于,所述正極連接電極(9)和負(fù)極連接電極(8)均由銀、銅、鋁或鎳中的一種或多種組成;所述正極連接電極(9)為1-40根,所述負(fù)極連接電極(8)為1-40根。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有隔離區(qū)域的指狀交叉背接觸太陽(yáng)電池,其特征在于,所述正面鈍化及減反射膜(2),采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化鋁、碳化硅、非晶硅中的一種或多種組成;所述背面的鈍化膜,采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化鋁、碳化硅、非晶硅中的一種或多種組成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1~6任意一項(xiàng)所述的具有隔離區(qū)域的指狀交叉背接觸太陽(yáng)電池,其特征在于,正面摻雜層(11)為n型正面摻雜層;所述n型正面摻雜層摻雜有V族元素,摻雜濃度為1×1017~5×1021cm-3。
8.根據(jù)權(quán)利要求1~6任意一項(xiàng)所述的具有隔離區(qū)域的指狀交叉背接觸太陽(yáng)電池,其特征在于,正面摻雜層(11)為p型正面摻雜層;p型正面摻雜層摻雜有III族元素,摻雜濃度為1×1017~5×1021cm-3。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





