[發明專利]一種p型背接觸太陽電池及其制備方法在審
| 申請號: | 201810760069.2 | 申請日: | 2018-07-11 |
| 公開(公告)號: | CN108666379A | 公開(公告)日: | 2018-10-16 |
| 發明(設計)人: | 李華;魯偉明;李中蘭;靳玉鵬 | 申請(專利權)人: | 泰州隆基樂葉光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人: | 張弘 |
| 地址: | 225300 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 垂直區域 貫穿 膜層 背面鈍化 交錯排列 背接觸 隧穿層 制備 垂直 背面鈍化膜 電池電極 電池組件 工藝難度 減反射膜 區域方向 指狀交叉 基底背 鈍化 基底 平行 電池 表現 | ||
1.一種p型背接觸太陽電池,其特征在于,自上而下依次包括:正面鈍化及減反射膜(2)、p型硅基底(1)、背面鈍化隧穿層(11)、n型摻雜膜層(3)、背面鈍化膜(5)和電池電極;所述的n型摻雜膜層(3)局域分布在背面鈍化隧穿層(11)上;
所述n型摻雜膜層(3)和p型硅基底(1)背面的p型區域(4)呈指狀交叉形式交錯排列,其中n型摻雜膜層(3)包括n型貫穿區域(301)和n型垂直區域(302),所述p型區域(4)包括p型貫穿區域(401)和p型垂直區域(402);n型貫穿區域(301)和p型貫穿區域(401)相互平行;所述n型垂直區域(302)和n型貫穿區域(301)相互垂直并連接;所述p型垂直區域(402)和p型貫穿區域(401)相互垂直并連接;在n型貫穿區域(301)方向上,所述n型垂直區域(302)和p型垂直區域(402)交錯排列;
所述的電池電極包括正極和負極,所述正極包括正極細柵線(7)和正極連接電極(9),所述負極包括負極細柵線(8)和負極連接電極(11);
負極細柵線(8)與n型摻雜區域的n型垂直區域(302)形成接觸;正極細柵線(7)與p型區域(4)的p型垂直區域(402)形成接觸;負極連接電極(11)設置在n型貫穿區域(301)內;正極連接電極(9)設置在p型貫穿區域(401)內;正極細柵線(7)與正極連接電極(9)連接,并通過正極連接電極(9)導出電流,負極細柵線(8)與負極連接電極(11)連接,并通過負極連接電極導出電流。
2.根據權利要求1所述的p型背接觸太陽電池,其特征在于,所述背n型摻雜膜層(3)由多晶硅、非晶硅、微晶硅中的一種或多種組成,并摻雜有V族元素。
3.根據權利要求1所述的p型背接觸太陽電池,其特征在于,所述背面鈍化隧穿層(11)為氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化鋁、碳化硅和非晶硅中的一種。
4.根據權利要求1所述的p型背接觸太陽電池,其特征在于,所述n型垂直區域(302)的寬度為0.08~3mm,所述p型垂直區域(402)的寬度為0.05~1mm。
5.根據權利要求1所述的p型背接觸太陽電池,其特征在于,所述正面鈍化及減反射膜(2)采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化鋁、碳化硅、非晶硅中的一種或多種組成;所述背面鈍化膜(5)采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化鋁、碳化硅、非晶硅中的一種或多種組成。
6.根據權利要求1所述的p型背接觸太陽電池,其特征在于,所述的正極細柵線(7)和p型硅基底(1)的局部接觸區域內,設置有一層摻雜成分為III族元素的空穴摻雜層(12),空穴摻雜層(12)的厚度為1~15um。
7.根據權利要求6所述的p型背接觸太陽電池,其特征在于,所述的空穴摻雜層(12)和正極細柵線(7)之間還設置有一層鋁硅合金層(13),鋁硅合金層(13)厚度為1~5um。
8.根據權利要求1所述的p型背接觸太陽電池,其特征在于,所述正極細柵線(7)為含鋁的電極,極細柵線(7)的寬度為20um~200um。
9.根據權利要求1所述的p型背接觸太陽電池,其特征在于,所述負極細柵線(8)為含銀的電極,負極細柵線(8)的寬度為10um~100um。
10.根據權利要求1所述的p型背接觸太陽電池,其特征在于,所述正極連接電極(9)主要導電成分包含銀、銅、鋁、鎳中的一種或多種;所述負極連接電極(11)主要導電成分包含銀、銅、鋁、鎳中的一種或多種。
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H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





