[發(fā)明專利]一種中子屏蔽防護(hù)材料有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810757924.4 | 申請日: | 2018-07-11 |
| 公開(公告)號: | CN108877975B | 公開(公告)日: | 2022-03-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 齊福剛;王冰;劉利新;歐陽曉平;趙鎳;劉應(yīng)都;曹紅帥;李貝貝 | 申請(專利權(quán))人: | 湘潭大學(xué) |
| 主分類號: | G21F1/06 | 分類號: | G21F1/06;G21F1/12;B82Y30/00;C04B35/563;C04B35/622 |
| 代理公司: | 重慶博凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 50212 | 代理人: | 李海華 |
| 地址: | 41110*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 中子 屏蔽 防護(hù) 材料 | ||
1.一種中子屏蔽防護(hù)材料,包括由碳化硼材料得到的基層,其特征在于,基層表面還結(jié)合形成有一層熱導(dǎo)率高于基層的表面層;
所述表面層由石墨烯材料、碳納米管材料和碳化硼材料得到;所述表面層材料按體積百分比組成如下:1%~10%的石墨烯,1%~20%的碳納米管,70%~98%的碳化硼。
2.如權(quán)利要求1所述的中子屏蔽防護(hù)材料,其特征在于,所述基層和表面層之間還設(shè)置有中間層,所述中間層由石墨烯材料和碳化硼材料得到。
3.如權(quán)利要求2所述的中子屏蔽防護(hù)材料,其特征在于,所述中間層材料按體積百分比組成如下:1%~10%的石墨烯,90%~99的碳化硼。
4.如權(quán)利要求2所述的中子屏蔽防護(hù)材料,其特征在于,采用以下步驟制備,a、鋪設(shè)基層的碳化硼粉末材料,然后分別鋪設(shè)中間層和表面層材料,中間層為將碳化硼粉和石墨烯粉通過球磨、電磁攪拌和超聲分散均勻制成的混合料,表面層為將碳化硼粉末、石墨烯粉末和碳納米管粉末通過球磨、電磁攪拌和超聲分散均勻,制成的混合料;
b、將鋪好層的材料粉末預(yù)壓呈毛坯并烘干;
c、將毛坯在六面頂壓機(jī)上用超高壓低溫快速燒結(jié)工藝燒結(jié)成型。
5.如權(quán)利要求4所述的中子屏蔽防護(hù)材料,其特征在于,每層所用的碳化硼顆粒,粒徑范圍為D=2~30μm,純度在95%以上。
6.如權(quán)利要求4所述的中子屏蔽防護(hù)材料,其特征在于,所述中間層和表面層制備時(shí),各自在酒精溶液中超聲分散,在電磁攪拌器上電磁攪拌并烘干,具體超聲分散時(shí)間為60min~120min,電磁攪拌時(shí)間為30min~60min,球磨時(shí)間為2h~5h,球磨速率為100~280r/min。
7.如權(quán)利要求4所述的中子屏蔽防護(hù)材料,其特征在于,鋪層厚度為:基層5mm~8mm,中間層厚度為2mm~4mm,表面層2mm~4mm。
8.如權(quán)利要求4所述的中子屏蔽防護(hù)材料,其特征在于,所述超高壓低溫快速燒結(jié)工藝參數(shù)為:燒結(jié)壓力為3.5~5.5GPa、燒結(jié)溫度為900~1400℃、燒結(jié)時(shí)間為5~15min。
9.如權(quán)利要求4所述的中子屏蔽防護(hù)材料,其特征在于,碳納米管采用四種不同性質(zhì)的碳納米管中的一種或多種:(1)羥基化多壁碳納米管(OH-MCNTs),層數(shù)為10層,管平均長度為L=10~30μm,管徑為8nm,純度在95%以上;(2)非羥基化多壁碳納米管(MCNTs),層數(shù)為10層,管徑平均長度為L=15~40μm,管徑為8nm,純度在92%以上;(3)羥基化多壁碳納米管(MCNTs),層數(shù)為40層,管徑平均長度為L=15μm,管徑為28nm,純度在90%以上;(4)羥基化單壁碳納米管(SCNTs),層數(shù)為1層,管徑平均長度為L=5μm,管徑為2nm,純度在99%以上。
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