[發明專利]光電轉換裝置及其制造方法和包括光電轉換裝置的設備

有效

• 申請號: 201810757489.5
• 申請日: 2018-07-11
• 公開（公告）號: CN109244092B
• 公開（公告）日: 2023-05-05
• 發明（設計）人: 小平新志;岡部剛士;世森光裕;遠藤信之;手塚智之;莊山敏弘;巖田純
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 宋巖

1.一種光電轉換裝置，其特征在于，包括：

半導體基板，包括光電轉換部分；

金屬含有部分，被設置在半導體基板上以與光電轉換部分的至少一部分不重疊；

層間絕緣膜，被布置在半導體基板上以覆蓋金屬含有部分；

第一氮化硅層，被布置在光電轉換部分上以包括位于層間絕緣膜和半導體基板之間的部分；

氧化硅膜，包括布置在第一氮化硅層和光電轉換部分之間的部分以及布置在層間絕緣膜和金屬含有部分之間的部分；

第二氮化硅層，被布置在氧化硅膜和金屬含有部分之間；

貫穿層間絕緣膜、氧化硅膜和第二氮化硅層并與金屬含有部分接觸的接觸插塞；和

貫穿層間絕緣膜和氧化硅膜并與半導體基板接觸的接觸插塞。

2.根據權利要求1所述的光電轉換裝置，其中，第一氮化硅層的厚度大于第二氮化硅層的厚度。

3.根據權利要求1所述的光電轉換裝置，還包括：被布置在光電轉換部分上并且被層間絕緣膜包圍的電介質區域，

其中，第一氮化硅層位于電介質區域與光電轉換部分之間。

4.根據權利要求3所述的光電轉換裝置，其中，第一氮化硅層的位于電介質區域和光電轉換部分之間的部分的厚度小于第一氮化硅層的其它部分的厚度。

5.根據權利要求1所述的光電轉換裝置，還包括：布置在氧化硅膜和光電轉換部分之間的第三氮化硅層。

6.根據權利要求5所述的光電轉換裝置，其中，硅化物部分和第二氮化硅層之間的距離小于第三氮化硅層和半導體基板之間的距離，該硅化物部分被設置在半導體基板上并且被第二氮化硅層覆蓋。

7.根據權利要求1所述的光電轉換裝置，

其中，被配置成傳送光電轉換部分的電荷的傳送門的柵電極被布置在半導體基板上，并且

其中，第一氮化硅層和半導體基板之間的距離與第一氮化硅層的厚度的和大于柵電極的厚度。

8.根據權利要求1所述的光電轉換裝置，

其中，半導體基板包括電荷保持部分，該電荷保持部分被配置成保持由光電轉換部分生成的電荷，并且，光電轉換裝置還包括遮光膜，該遮光膜被配置成在氧化硅膜和電荷保持部分之間覆蓋電荷保持部分。

9.一種包括根據權利要求1所述的光電轉換裝置的設備，所述設備還包括以下項中的至少任一個：光學系統，被配置成在光電轉換裝置上形成圖像；控制裝置，被配置成控制光電轉換裝置；處理裝置，被配置成處理從光電轉換裝置輸出的信號；機械裝置，被配置成基于由光電轉換裝置獲得的信息而被控制；顯示裝置，被配置成顯示由光電轉換裝置獲得的信息；以及存儲裝置，被配置成存儲由光電轉換裝置獲得的信息。

10.一種光電轉換裝置，其特征在于，包括：

半導體基板，包括光電轉換部分；

金屬含有部分，被設置在半導體基板上以與光電轉換部分的至少一部分不重疊；

第一氮化硅層，被布置在光電轉換部分上，光電轉換部分和第一氮化硅層之間的距離小于布線層和半導體基板之間的距離；

氧化硅膜，包括布置在第一氮化硅層和光電轉換部分之間的部分以及布置在金屬含有部分上的部分；

第二氮化硅層，被布置在氧化硅膜和金屬含有部分之間；和

接觸插塞，貫穿氧化硅膜和第二氮化硅層并與布線層和金屬含有部分接觸。