[發(fā)明專利]TiN薄膜刻蝕方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810757205.2
• 申請(qǐng)日: 2018-07-11
• 公開（公告）號(hào): CN109166797A
• 公開（公告）日: 2019-01-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉善善;朱黎敏;朱興旺
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/311
• 分類號(hào): H01L21/311;B81C1/00
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

本發(fā)明公開了一種TiN薄膜刻蝕方法，包括如下步驟：步驟1、對(duì)表面覆蓋TiN薄膜的硅片進(jìn)行NH3處理；步驟2、對(duì)經(jīng)過NH3處理后的硅片涂膠加顯影處理；步驟3、對(duì)硅片刻蝕成型。本發(fā)明既能有效的刻蝕掉TiN薄膜，又不影響下層薄膜的特性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域，特別是涉及一種TiN(氮化鈦)薄膜刻蝕方法。

背景技術(shù)

TiN薄膜作為相對(duì)高電阻薄膜經(jīng)常應(yīng)用到MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))器件中作為電極，由于TiN薄膜本身特殊的結(jié)構(gòu)，使得其在受到含氧離子轟擊過程中，會(huì)有部分TiN中的N(氮)原子被替換，形成一種帶氧的特殊薄膜覆蓋在TiN表面，在后續(xù)的刻蝕工藝過程中，會(huì)嚴(yán)重阻礙TiN薄膜的刻蝕。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種TiN薄膜刻蝕方法，既能有效的刻蝕掉TiN薄膜，又不影響下層薄膜的特性。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的TiN薄膜刻蝕方法是采用如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：

步驟1、準(zhǔn)備一表面覆蓋TiN薄膜的硅片；

步驟2、對(duì)表面覆蓋TiN薄膜的硅片進(jìn)行NH3(氨氣)處理；

步驟3、對(duì)經(jīng)過NH3處理后的硅片涂膠加顯影處理；

步驟4、對(duì)硅片刻蝕成型。

采用本發(fā)明的TiN薄膜的刻蝕工藝方法，可以有效的應(yīng)用于TiN薄膜刻蝕，尤其是在單獨(dú)TiN薄膜刻蝕工藝，既能有效的刻蝕掉TiN薄膜，又不影響下層薄膜的特性。

本發(fā)明的方法適用于MEMS電極的刻蝕，適用于MEMS產(chǎn)品。

附圖說明

下面的結(jié)合附圖與具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明：

圖1是所述TiN薄膜刻蝕方法流程示意圖。

具體實(shí)施方式

結(jié)合圖1所示，所述TiN薄膜刻蝕方法在下面的實(shí)施例中，具體實(shí)施過程如下：

步驟1、準(zhǔn)備一表面覆蓋TiN薄膜的硅襯底，即表面覆蓋TiN薄膜的硅片。TiN薄膜的厚度為10～30nm。TiN薄膜的成膜方法不限于物理沉積(PVD)以及化學(xué)氣相沉積(CVD)等成膜方法中的一種及混合工藝方法。

步驟2、對(duì)表面覆蓋TiN薄膜的硅片進(jìn)行NH3處理。對(duì)表面覆蓋TiN薄膜的硅片進(jìn)行NH3處理的設(shè)備為CVD設(shè)備工藝腔或者PVD設(shè)備工藝腔，處理工藝溫度為250～400℃，真空壓力為3～10torr，NH3流量為30～100sccm，N2流量3～10k sccm，處理時(shí)間為10～30s。

步驟3、對(duì)經(jīng)過NH3處理后的硅片涂膠加顯影處理。

步驟4、對(duì)硅片刻蝕成型。對(duì)經(jīng)過涂膠顯影后的硅片進(jìn)行刻蝕工藝處理的方法，包括但不限于干法刻蝕，濕法刻蝕，以及混合等刻蝕TiN薄膜的方法。

以上通過具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，但這些并非構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可做出許多變形和改進(jìn)，這些也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。