[發明專利]一種基于精確諧波控制的高效率雙頻F類堆疊功率放大器在審
| 申請號： | 201810757111.5 | 申請日： | 2018-07-11 |
| 公開（公告）號： | CN108768315A | 公開（公告）日： | 2018-11-06 |
| 發明（設計）人： | 呂繼平;鄔海峰;滑育楠;陳依軍;胡柳林;童偉;王測天 | 申請（專利權）人： | 成都嘉納海威科技有限責任公司 |
| 主分類號： | H03F1/56 | 分類號： | H03F1/56;H03F3/193;H03F3/21;H03F3/24 |
| 代理公司： | 成都正華專利代理事務所(普通合伙) 51229 | 代理人： | 陳選中 |
| 地址： | 610016 四川省成都市*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 雙頻 高效率 堆疊 輸出匹配網絡 功率放大器 偏置網絡 諧波控制 功率放大網絡 堆疊晶體管 高功率輸出 供電 工作模式 匹配網絡 高增益 雙頻帶 自偏置 基波 漏極 電路 | ||
1.一種基于精確諧波控制的高效率雙頻F類堆疊功率放大器，其特征在于，包括雙頻輸入基波匹配網絡、二堆疊自偏置功率放大網絡、雙頻F類輸出匹配網絡、柵極供電偏置網絡和漏極供電偏置網絡；
所述雙頻輸入基波匹配網絡的輸入端為整個所述高效率雙頻F類堆疊功率放大器的輸入端，其輸出端與二堆疊自偏置功率放大網絡的輸入端連接；
所述雙頻F類輸出匹配網絡的輸出端為整個所述高效率雙頻F類堆疊功率放大器的輸出端，其輸入端與二堆疊自偏置功率放大網絡的輸出端連接；
所述柵極供電偏置網絡與雙頻輸入基波匹配網絡連接，所述漏極供電偏置網絡分別與二堆疊自偏置功率放大網絡以及雙頻F類輸出匹配網絡連接。
2.根據權利要求1所述的高效率雙頻F類堆疊功率放大器，其特征在于，所述雙頻輸入基波匹配網絡包括微帶線TL1，所述微帶線TL1的一端為雙頻輸入基波匹配網絡的輸入端，其另一端分別與微帶線TL2的一端以及微帶線TL4的一端連接，所述微帶線TL2的另一端與開路微帶線TL3連接，所述微帶線TL4的另一端與電容C1的一端連接，所述電容C1的另一端分別與微帶線TL7的一端以及開路微帶線TL5連接，并作為雙頻輸入基波匹配網絡的輸出端，所述微帶線TL7的另一端分別與開路微帶線TL6以及柵極供電偏置網絡連接。
3.根據權利要求1所述的高效率雙頻F類堆疊功率放大器，其特征在于，所述二堆疊自偏置功率放大網絡包括按照源極-漏極相連堆疊構成的頂層晶體管Md2和底層晶體管Md1；
所述底層晶體管Md1的源極接地，其柵極與微帶線TL9的一端連接，所述微帶線TL9的另一端為二堆疊自偏置功率放大網絡的輸入端；
所述頂層晶體管Md2的漏極為二堆疊自偏置功率放大網絡的輸出端，其柵極與電阻R2的一端連接，所述電阻R2的另一端分別與電阻R3的一端以及接地電容C4連接，所述電阻R3的另一端分別與電阻R4的一端以及接地電阻R5連接，所述電阻R4的另一端與漏極供電偏置網絡連接；
所述底層晶體管Md1的漏極和頂層晶體管Md2的源極之間通過微帶線TL10連接，所述頂層晶體管Md2的源極與微帶線TL10的連接節點還與微帶線TL11的一端連接，所述微帶線TL11的另一端與接地電容C3連接。
4.根據權利要求2所述的高效率雙頻F類堆疊功率放大器，其特征在于，所述柵極供電偏置網絡包括微帶線TL8，所述微帶線TL8的一端與微帶線TL7連接，其另一端分別與電阻R1的一端、扇形開路線STUB1以及接地電容C2連接，所述電阻R1的另一端與低壓偏置電源VG連接。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于成都嘉納海威科技有限責任公司，未經成都嘉納海威科技有限責任公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810757111.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
