[發(fā)明專利]一種基于共混發(fā)光層的OLED器件及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810755140.8 | 申請(qǐng)日: | 2018-07-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110718642B | 公開(公告)日: | 2022-07-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 應(yīng)磊;彭灃;鐘知鳴;黃飛;曹鏞 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東莞伏安光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/54 | 分類號(hào): | H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州市華學(xué)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245 | 代理人: | 黃磊 |
| 地址: | 523808 廣東省東莞*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 發(fā)光 oled 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種基于空穴傳輸小分子與含三苯胺乙烯單元發(fā)光聚合物的共混發(fā)光層的OLED器件,其特征在于其結(jié)構(gòu)包括陽(yáng)極、陰極和置于兩電極之間的至少一層有機(jī)化合物層;所述的有機(jī)化合物層包括至少一層的共混發(fā)光層;所述的共混發(fā)光層的組分包括空穴傳輸小分子和含三苯胺乙烯單元的發(fā)光聚合物;
所述含三苯胺乙烯單元的發(fā)光聚合物的化學(xué)結(jié)構(gòu)式滿足以下通式之一:
式中:x、y為各單元組分的摩爾分?jǐn)?shù),滿足:0x1,0y1,x+y=1;n為重復(fù)單元數(shù),n=5~5000范圍內(nèi)的整數(shù);
Ar1為C6~60的芳香族烴基或C3~60的芳香族雜環(huán)基;
Ar2為乙烯基三芳胺單元,具有如下通式結(jié)構(gòu):
Ar3、Ar4、Ar5、Ar6相同或不同的分別為C6~60的芳香族烴基或C3~60的芳香族雜環(huán)基;
所述的空穴傳輸小分子包括咔唑類、三芳胺類衍生物中的至少一種;
其中,Ar1為如下化學(xué)結(jié)構(gòu)或如下結(jié)構(gòu)衍生物的至少一種:
其中,R1為C1~30的烷基、C3~30的環(huán)烷基、C6~60芳香族烴基或C3~60的芳香族雜環(huán)基;R2、R3、R4相同或不同的分別為H、D、F、CN、烯基、炔基、胺基、硝基、酰基、烷氧基、羰基、砜基、C1~30的烷基、C1~30的烷氧基、C3~30的環(huán)烷基、C6~60芳香族烴基或C3~60的芳香族雜環(huán)基;
其中,所述的Ar3、Ar4、Ar5、Ar6相同或不同的分別為如下結(jié)構(gòu)或如下結(jié)構(gòu)衍生物的一種:
其中,R5為C1~30的烷基、C3~30的環(huán)烷基、C6~60芳香族烴基或C3~60的芳香族雜環(huán)基;
其中,所述的Ar2為如下化學(xué)結(jié)構(gòu)或如下結(jié)構(gòu)衍生物的至少一種:
其中,R6為H、D、F、CN、烯基、炔基、胺基、硝基、酰基、烷氧基、羰基、砜基、C1~30的烷基、C1~30的烷氧基、C3~30的環(huán)烷基、C6~60芳香族烴基或C3~60的芳香族雜環(huán)基。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于空穴傳輸小分子與含三苯胺乙烯單元發(fā)光聚合物的共混發(fā)光層的OLED器件,其特征在于:所述的空穴傳輸小分子為如下所示結(jié)構(gòu)中的至少一種:
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于空穴傳輸小分子與含三苯胺乙烯單元發(fā)光聚合物的共混發(fā)光層的OLED器件,其特征在于:所述的共混發(fā)光層中,空穴傳輸小分子的含量為質(zhì)量分?jǐn)?shù)大于0,小于等于50%;所述含三苯胺乙烯單元的發(fā)光聚合物的含量為質(zhì)量分?jǐn)?shù)大于等于50%,小于100%;所述的共混發(fā)光層的厚度為50~1000nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于空穴傳輸小分子與含三苯胺乙烯單元發(fā)光聚合物的共混發(fā)光層的OLED器件,其特征在于:結(jié)構(gòu)中還包括透明基板層、ITO陽(yáng)極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子注入層及陰極反射電極層;所述透明基板層、ITO陽(yáng)極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子注入層及陰極反射電極層依次層疊排布。
5.一種權(quán)利要求1~4任一項(xiàng)所述的基于空穴傳輸小分子與含三苯胺乙烯單元發(fā)光聚合物的共混發(fā)光層的OLED器件的制備方法,其特征在于包括以下步驟:
(1)在ITO玻璃基板上通過旋涂方法附著一層空穴注入層;
(2)通過旋涂的方式制備至少一層的空穴傳輸小分子與含三苯胺乙烯單元發(fā)光聚合物共混的發(fā)光層,旋涂前將空穴傳輸小分子與含三苯胺乙烯單元發(fā)光聚合物溶解在有機(jī)溶劑中;
(3)最后,蒸鍍一層陰極電極。
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