[發(fā)明專利]減壓干燥裝置、基板處理裝置及減壓干燥方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810754626.X | 申請日: | 2018-07-10 |
| 公開(公告)號: | CN109411325A | 公開(公告)日: | 2019-03-01 |
| 發(fā)明(設計)人: | 西岡賢太郎;實井祐介 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 楊文娟;臧建明 |
| 地址: | 日本京都府京都市上京區(qū)堀*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 減壓 減壓干燥裝置 表格數(shù)據(jù) 基板處理裝置 目標數(shù)據(jù) 閥開度 室內(nèi) 排氣 動作控制部 控制閥開度 目標設定部 基板收容 減壓處理 設置環(huán)境 處理液 排氣部 附著 基板 開度 腔室 | ||
本發(fā)明的目的在于提供一種減壓干燥裝置、基板處理裝置及減壓干燥方法。本發(fā)明的減壓干燥裝置通過將附著有處理液的基板收容在腔室內(nèi)并將腔室內(nèi)減壓,而使基板干燥。減壓干燥裝置具有:腔室;減壓排氣部;閥,調(diào)節(jié)減壓排氣的流量;目標設定部,設定目標數(shù)據(jù);表格數(shù)據(jù)取得部,取得表格數(shù)據(jù),此表格數(shù)據(jù)針對規(guī)定的每個閥開度,示出由減壓排氣所致的腔室內(nèi)的壓力與達到此壓力的達到時間的關系;開度決定部,根據(jù)表格數(shù)據(jù)及目標數(shù)據(jù)而決定實行減壓干燥處理時的閥開度;以及動作控制部,控制閥開度。借此,無論裝置的個體差或設置環(huán)境如何,均能以更接近所需減壓速度的減壓速度進行減壓處理。
技術(shù)領域
本發(fā)明涉及一種對附著有處理液的基板進行減壓干燥的技術(shù),尤其涉及一種減壓干燥裝置、基板處理裝置及減壓干燥方法。
背景技術(shù)
以前,在半導體晶片、液晶顯示裝置或有機電致發(fā)光(Electroluminescence,EL)顯示裝置等平板顯示器(Flat Panel Display,F(xiàn)PD)用基板、光掩模(photomask)用玻璃基板、彩色濾光片(color filter)用基板、記錄光盤用基板、太陽電池用基板、電子紙用基板等精密電子裝置用基板的制造工序中,為了使涂布在基板上的處理液干燥而使用減壓干燥裝置。此種減壓干燥裝置具有收容基板的腔室(chamber)、及將腔室內(nèi)的氣體排出的排氣裝置。現(xiàn)有的減壓干燥裝置例如已記載在專利文獻1中。
在對涂布在基板上的光致抗蝕劑(photoresist)等處理液進行干燥而形成薄膜的情況下,若進行急劇減壓,則可能產(chǎn)生突沸。突沸是由于涂布在基板表面上的光致抗蝕劑中的溶劑成分急劇蒸發(fā)而產(chǎn)生。若在減壓干燥處理中產(chǎn)生突沸,則會產(chǎn)生在光致抗蝕劑的表面形成小泡的脫泡現(xiàn)象。因此,減壓干燥處理中,需要在初期階段中將腔室內(nèi)階段性地進行減壓而非急劇減壓。
[現(xiàn)有技術(shù)文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2006-261379號公報
發(fā)明內(nèi)容
[發(fā)明所要解決的問題]
為了階段性地變更腔室內(nèi)的壓力,需要調(diào)節(jié)減壓速度。專利文獻1中記載的減壓干燥裝置中,通過在減壓處理中一面將腔室內(nèi)的氣體排出一面對腔室內(nèi)供給惰性氣體,而調(diào)節(jié)減壓速度。另外,為了適當?shù)卣{(diào)節(jié)減壓速度,在惰性氣體的供給源與腔室之間設有能多階段地變更開度的閥。
另外,作為調(diào)節(jié)腔室內(nèi)的減壓速度的其他方法,也可在腔室與排氣裝置之間設置能多階段地變更開度的閥,調(diào)整從腔室的排氣量。此情況下,能在不對腔室內(nèi)供給惰性氣體的情況下階段性地調(diào)整從腔室的排氣量。
即便在對惰性氣體的供給量及從腔室的排氣量的任一個進行調(diào)整的情況下,為了以所需減壓速度進行減壓處理,也需要將所述閥設定為與其減壓速度相應的開度。但是,即便在對同機型的減壓干燥裝置設定相同閥開度的情況下,也由于裝置的個體差或設置環(huán)境的差異等而減壓速度產(chǎn)生偏差。因此,有時所需減壓速度與現(xiàn)實的減壓速度之間發(fā)生偏離。
本發(fā)明是鑒于此種情況而成,其目的在于提供一種能在具有能多階段地變更開度的閥的減壓干燥裝置中,以更接近所需減壓速度的減壓速度進行減壓處理的技術(shù)。
[解決問題的技術(shù)手段]
為了解決所述課題,本案的第一發(fā)明為一種減壓干燥裝置,對附著有處理液的基板進行減壓干燥,且所述減壓干燥裝置具有:腔室,收容所述基板;減壓排氣部,將所述腔室內(nèi)減壓排氣;閥,插入到所述腔室與所述減壓排氣部之間,通過閥開度而調(diào)節(jié)減壓排氣的流量;目標設定部,對每個處理期間設定包含初期壓力值、目標壓力值及目標達到時間的目標數(shù)據(jù);表格數(shù)據(jù)取得部,取得表格數(shù)據(jù),所述表格數(shù)據(jù)針對規(guī)定的多個所述閥開度各自,示出由減壓排氣所致的所述腔室內(nèi)的壓力與達到所述壓力的達到時間的關系;開度決定部,根據(jù)所述表格數(shù)據(jù)及所述目標數(shù)據(jù)而決定實行減壓干燥處理時的所述閥開度;以及動作控制部,在實行所述減壓干燥處理時,根據(jù)所述開度決定部的決定而控制所述閥開度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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